击穿电压
贡献者:Tony 浏览:8525次 创建时间:2009-06-19
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对PN结击穿进行研究,指出击穿机率q与电场强度E之间有如下关系:q∝6e3.9×100000E。可知,如果电压允许降低为原电压值的十分之一的话,电容器和晶体管击穿的可能性将分别降低为原来的百分之一和二万分之一。反之电压升高击穿的可能性将增大。电容器、晶体管的击穿除了与外加电压有关外还与温度有关。以PN结为例,PN结温度每降低10℃左右,失效率可下降约一个数量级。
需要指出的是,最高反向工作电压并不是二极管的击穿电压。一般情况下,二极管的击穿电压要比最高反向工作电压高得多(约高一倍)。
使电介质击穿的电压。电介质在足够强的电场作用下将失去其介电性能成为导体,称为电介质击穿,所对应的电压称为击穿电压。电介质击穿时的电场强度叫击穿场强。不同电介质在相同温度下,其击穿场强不同。当电容器介质和两极板的距离d一定后,由U1-U2=Ed知,击穿场强决定了击穿电压。击穿场强通常又称为电介质的介电强度。提高电容器的耐压能力起关键作用的是电介质的介电强度。附表为各种电介质的相对介电常量εr和介电强度。
电介质 εr 击穿场强,×106/(V·m-1)
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