磁阻效应传感器
贡献者:sdjntl 浏览:1980次 创建时间:2009-12-04
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图2-1 磁阻效应
磁阻传感器已经能制作在硅片上,并形成产品。其灵敏度和线性度已经能满足磁罗盘的要求,各方面的性能明显由于霍尔器件。迟滞误差和零点温度漂移还可采用对传感器进行交替正向磁化和反向磁化的方法加以消除。由于磁阻传感器的这些优越性能,使它在某些应用场合能够与磁通门竞争。
FNN-3300就是用的磁阻传感器,在市场上占据很重要的地位,所以证明在电子罗盘中磁阻式的是优于霍尔效应及磁通门的。
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