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记忆电阻器

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memristors,惠普科学家开发的下一代内存技术,这种技术有可能取代目前广泛应用的闪存和DRAM内存技术。
记忆电阻器是加州大学伯克利分校的一位教授在1971年首次阐明的。在此之前,科学家仅知道三个基本电路元件:电阻器、电容器和电感器。蔡少棠(Leon Chua)教授把记忆电阻器称作第四个元件。
几十年后,惠普科学家证明记忆电阻器是存在的,并且证明他们能够让记忆电阻器在两个或者更多的电阻级别上来回交换,这就使它们能够代表数字计算中的1和0。威廉斯表示,他个人预计惠普的记忆电阻器技术将在2013年年中开始商业性提供。



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