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50nm


贡献者:sky2009    浏览:26029次    创建时间:2010-04-27

纳米(符号为nm)是长度单位,原称毫微米,就是10^-9米(10亿分之一米),即10^-6毫米(100万分之一毫米)。如同厘米、分米和米一样,是长度的度量单位。相当于4倍原子大小,比单个细菌的长度还要小。

随着苹果(Apple)iPhone及更高阶iPod将陆续登场,可望带动NAND型快闪存储器(Flash)市场庞大商机,吸引国际NAND Flash大厂摩拳擦掌,其中,三星电子(Samsung Electronics)、东芝(Toshiba)等大厂均已将成熟工艺导入到50或56纳米,而仍采用90纳米工艺的海力士(Hynix)因明显无法与竞争对手抗衡,近期在急起直追后,预计第三季度起导入60纳米工艺技术微缩版的57纳米工艺投产NAND Flash,更让业界惊讶的是,海力士系采用8英寸厂导入57纳米工艺投产。
近期在NAND Flash市场处于弱势的海力士,经过近几季度体质调节后,为赶搭2007下半年iPhone及iPod所带来庞大市场商机,第三季度起将导入57纳米工艺投产NAND Flash,并计划在2008年第一季度再上一层楼导入48纳米工艺。至于海力士57纳米工艺是由先前60纳米工艺予以微缩后,所产生新一代工艺技术,由于采用57纳米工艺投产,估计光是制造成本便可节省高达20%左右,如此一来与竞争对手差距将可望进一步缩减。
海力士下游客户指出,尽管海力士一举将工艺技术微缩到57纳米,但为能进一步节省制造成本,新一代工艺技术将继续采用8英寸厂投产,对于海力士而言,无需再增加额外负担,便可顺利将新工艺技术导入,整体竞争优势将进一步提升。
此外,除57纳米工艺技术外,海力士为能有效与竞争对手一较高下,新一代48纳米工艺亦预计在2007年底顺势推出。不过,业界一般认为,要做到48纳米工艺,恐将无法再继续采用8英寸厂投片,到时还是必须改为采用12英寸厂投片才行,而海力士这一连串动作,很明显的便是不希望未来庞大NAND Flash市场商机被三星或东芝通吃。
值得注意的是,尽管国际NAND Flash大厂陆续转进50纳米工艺世代,但速度较预期缓慢,除东芝进度较顺利,三星电子在50纳米工艺亦未跟上预定时程,目前50纳米工艺产品供货数量不多,因此,NAND Flash价格在传统淡季中显得相当稳定,待第三季度消费性电子旺季来临,终端需求便可望跟上脚步。
模块企业指出,NAND Flash大厂在2007年初陆续转进50纳米工艺世代,但由于工艺难度不断提升,各大厂量产时间表皆往后延。其中,东芝由于工艺领先,在50纳米工艺量产仍最快,三星电子目前亦持续加紧脚步,但量产时间表会较预期往后延,50纳米工艺产品虽已有小量供货,但客户能拿到的数量还不多。
模块企业表示,目前是因为NAND Flash供给不足,才撑住市场价格,除工艺转换因素导致供给有限外,苹果针对第三季度iPod和iPhone买气展望相当乐观,陆续对NAND Flash大厂增加下单量,亦使得NAND Flash供给得以维持,让上游大厂吃下一颗定心丸。
由于第三季度是消费性电子传统旺季,不论是对MP3播放器、闪存卡、U盘等,买气都会逐渐回笼,届时NAND Flash终端应用可逐渐升温,加上苹果推出iPhone更将带动NAND Flash需求,以目前来看,第三季度NAND Flash价格行情相当安全,预计可维持到第四季度。



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开放分类
IC设计    

参考资料
http://baike.baidu.com/view/1714.htm?fr=ala0_1

贡献者
sky2009    


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