MB89R118C
贡献者:ousemi 浏览:1462次 创建时间:2023-09-26
-
FeRAM嵌入式 RFID LSI 的优点是存储器密度大,数据写入速度快。如果我们的RFID LSI用于标签中记录工厂中产品的工艺流程历史,则可以缩短生产时间。此外,一些 RFID LSI产品具有无线和SPI 的双接口。该产品可以通过 SPI接口进行快速处理,并且可以在断电期间使用无线接口读取重要数据。
数据擦写次数:1万亿次
数据保持特性:? 10年(70℃)
HF band 13.56MHz ,
2Kbyte内存
ISOIEC15693通信规格
MB89R118C内置2K字节FRAM的内部存储器、2K字节的用户区、48字节的系统区构成,存储器按照每8个字节为1个Block来分配Block号,用户区从00H到F9H共256Block,系统区从FAH到FFH共6Block。表1所示为存储器的构成。针对用户区的特定Block,可通过命令指定Block地址进行读写操作。但针对存放芯片固有ID(64位UID)和各Block安全状态(Lock与否)等的系统区,则只能进行读出操作不能写入
数据收发
读写器向RFID标签传送指令
该产品在读写器和 RFID 标签间的 通 讯 遵 循 ISO/IEC15693 协 议, 对来自读写器的信号采用幅移键控调制(Amplitude Shift Keying,ASK),调制度可对应 10%和 100%。此外,在 ISO/IEC15693 规格中有“1out of 4”和“1out of 256”2 种数据编码方式,该产品只支持“1out of 4”。
开放分类
参考资料
富士通半导体已经开发出了高频段 (13.56MHz) 和超高频段 (860 ~ 960MHz)RFID 芯片产品。这些产品最重要的特点就是内嵌铁电存储器(Ferroelectric Random Access Memory,FRAM)。由于擦写速度快、耐擦写次数高,它们已经作为数据载体型被动 RFID 芯片而被全世界广泛采用。近年来,在需要杀菌的物品上粘贴标签,以及标签的小型化需求开始呈现。针对这些需求,富士通发挥 FRAM 在防辐射方面的特点,开发出“MB89R118C”产品。
该产品是一款在高频段(13.56MHz)使用的RFID芯片,内置2K字节数据载体型FRAM大容量存储器,性能上沿袭已上市销售的MB89R118/118B”,因此现有客户可继续在当前的环境下使用新产品。
贡献者
本词条在以下词条中被提及:
关于本词条的评论共:(1条)