ZXMC10A816
贡献者:wuqinyong 浏览:1693次 创建时间:2010-04-25
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Diodes 亚太区技术市场总监梁后权指出,这个N通道和P通道组合的MOSFET能够代替采用SOT223及DPak (TO252) 封装的同等器件,有助减省电路板空间及元件数目,同时简化栅极驱动电路设计。比方说,SO8充分发挥了节省空间的功能,其占位面积只有31 mm2,仅为两个SOT223 MOSFET的30%。
最新双器件封装内的N与P通道MOSFET,可在10V栅极电压 (VGS) 下实现极低的栅极电荷,典型导通电阻 (RDS(ON)) 分别为230mΩ 和235mΩ,确保开关及导通损耗保持在最低水平。功率耗散分别为2.4W及2.6W。
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