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绝缘栅双极晶体管(IGBT) 2008-07-19 疯癫龙
IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)是MOS结构双极器件,属于具有功率MOSFET的高速性能与双极的低电阻性能的功率器件。IGBT的应用范围一般都在耐压600V以上、电流10A以上、频率为1kHz以上的区域。多使用在工业用电机、民用小容量电机、变换器(逆变器)、照像机的频闪观测器、感应加热(InductionHeating)电饭锅等领域。根据封装的不同,IGBT
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