RSS订阅- 多层氧化物MOS集成电路 2008-07-22 疯癫龙
- 所有 MOS 集成电路 （包括 P 沟道 MOS， N 沟道 MOS， 互补 MOS — CMOS 集成电路） 都有一层绝缘栅，以防止电压击穿。一般器件的绝缘栅氧化层的厚度大约是 25nm 50nm 80nm 三种。在集成电路高阻抗栅前面还有电阻——二极管网络进行保护，虽然如此，器件内的保护网络还不足以免除对器件的静电损害（ESD），实验指出，在高电压放电时器件会失效，器件也可能为多次较低电压放电
开放分类包含“半导体基础知识”的词条：
- 化合物半导体集成电路 2008-07-22 疯癫龙
- 是将晶体管、二极管等有源元件和电阻器、电容器等无源元件，按照一定的电路互连，“集成”在一块半导体单晶（主要是硅单晶）片上。它完成特定的电路或系统功能。这种集成电路与过去将各个电子元件分别封装，然后装配在一起的电路不同，不仅表现在外形体积上小，而且反映在制造工艺技术上，它的全部元件及其互连导线都在一系列特定工艺技术加工过程中完成。 集成电路如果以构成它的电路基础的晶体管来区分,有双极型集成电路和
- 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 2008-07-19 疯癫龙
- IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)是MOS结构双极器件，属于具有功率MOSFET的高速性能与双极的低电阻性能的功率器件。IGBT的应用范围一般都在耐压600V以上、电流10A以上、频率为1kHz以上的区域。多使用在工业用电机、民用小容量电机、变换器（逆变器）、照像机的频闪观测器、感应加热（InductionHeating）电饭锅等领域。根据封装的不同，IGBT
| 共10条 1/1 1 |
