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半导体材料
2008-05-23
yccnankai
- 半导体材料（semiconductor material）
导电能力介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。半导体材料是一类具有半导体性能、可用来制作半导体器件和集成电的电子材料，其电导率在10（U-3）～10（U-9）欧姆/厘米范围内。半导体材料的电学性质对光、热、电、磁等外界因素的变化十分敏感，在半导体材料中掺入少量杂质可以控制这类材料的电导率。正是利用半导体材料的这些性质，才制造出功能多样的
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自旋半导体
2008-05-23
yccnankai
- 顾名思义，利用电子的自旋来进行数据的存储、传输和计算的半导体我们称为自旋半导体，研究自旋半导体的科学叫做自旋电子学。自旋是电子的内禀性质，是纯量子效应，并且电子之间的自旋耦合方式和物质的磁性有密切关系，所以自旋半导体多是用掺杂磁性物质的半导体来制作的，使用磁场来控制自旋电流的极化和输运。由于电子自旋的极化和输运需要非常少的电流来控制，并且自旋反转是瞬间完成的，所以自旋半导体器件具有极低的功耗和极快
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固体器件
2008-05-23
yccnankai
- 半导体术语。
用固态材料来制造的各种电子元器件，它是相对于真空管器件而言的，这种器件不但有真空管的功能，而且为固态（无真空），且具有体积小、重量轻、耗电低并且寿命长等优点。
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复合半导体
2008-05-23
yccnankai
- 两种或是两种以上的半导体通过研磨、溶解混合形成复合半导体材料，它在保持半导体基本性的基础上，因存在大量两种材料接触的表面与界面，在光照、电场、磁场等外界作用显示出诸多特殊性能，极大改善单半导体的性能，拓宽新材料的发现与半导体材料的应用范围。
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半导体
2008-05-23
yccnankai
- semiconductor
电阻率介于金属和绝缘体之间并有负的电阻温度系数的物质。半导体室温时电阻率约在10-5～107欧·米之间，温度升高时电阻率指数则减小。半导体材料很多，按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。锗和硅是最常用的元素半导体；化合物半导体包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化镓、磷化镓等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化镉、硫化锌等)、氧化物(锰、铬、铁、铜的氧化物),以
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非本征半导体
2008-05-23
yccnankai
- extrinsic semiconductor
当向半导体中添加受主或施主物质(称为掺杂物)，通过施主型杂质解离向导带注入电子或受主型杂质俘获价带电子产生了自由载流子，使本征半导体产生额外的电导，成为非本征半导体。
非本征半导体由于添加受主型杂质或施主型杂质分别成为p型半导体或n型半导体。
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光生载流子
2008-05-23
yccnankai
- photogenic charge carrier
用光照射半导体时，若光子的能量等于或大于半导体的禁带宽度，则价带中的电子吸收光子后进入导带，产生电子-空穴对。这种类型的载流子称为光生载流子。此过程称为光注入。光子能量与频率有关，每种频率的光，都是由同等能量的光子组成的，每个光子的能量等于普朗克常数(h=6.56×10-27J·S)与光的频率v的乘积。当光照射到半导体时，由于不同材料电特性的
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晶圆
2008-05-20
sylar
- 晶圆晶圆是指硅半导体积体电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC产品。晶圆的原始材料是硅，而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高达99.999999999%。晶圆制造厂再将此多晶硅融解，再于融液里种入籽晶，然后将其慢慢拉出，以形成圆柱状的单晶硅晶棒
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MOSIC
2008-05-19
yccnankai
- 以金属-氧化物-半导体（MOS）场效应晶体管为主要元件构成的集成电路 。简称MOSIC 。1964年研究出绝缘栅场效应晶体管。直到1968年解决了MOS器件的稳定性，MOSIC得到迅速发展。与双极型集成电路相比，MOSIC具有以下优点：①制造结构简单，隔离方便。②电路尺寸小、功耗低适于高密度集成。③MOS管为双向器件，设计灵活性高。④具有动态工作独特的能力。⑤温度特性好。其缺点是速度较低、驱动能力
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