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JFET
2009-06-09
sylar
- 最早具有实际结构的场效应晶体管是在N型或者P型半导体基片上制作一对PN结及相应的金属电极，两个PN结之间有导电沟道，通过改变外加PN界的反向偏置电压，以改变PN结耗尽层的厚度，从而达到改变沟道区载流子密度以控制沟道输出电流的目的，因此，这种场效应管也被称为PN结型场效应晶体管，即PN JFET（PN Junction FET），通常也称JFET。
什么是 JFET
一种单极的三层晶体管，它是一
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发射效率
2009-05-26
sylar
- 双极型晶体管的发射效率是指有效注入电流在总的发射极电流中所占的比例。
以NPN管为例，定义发射效率为发射极电子电流与发射极电流的比，其中发射极电流等于电子电流与空穴电流之和。表达式为：
γ0=Ine/IE=Ine/(Ine+Ipe)
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基区输运系数
2009-05-26
sylar
- 双极型晶体管基区输运系数表征了从发射结发射的多子电流传输到集电结的效率大小。
以NPN管为例，基区输运系数为集电区电子电流与发射区电子电流之比，表达式为
β0*=Inc/Ine
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基区宽度调变效应
2009-05-26
sylar
- 双极晶体管基区宽度调变效应（或称基区宽变效应），即基区有效宽度随外加电压变化而变化的现象。
PN结空间空间电荷区的宽度由外加电压、杂志浓度等决定。当晶体管处于放大工作状态时，发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置，而且反偏电压VCB较高。随着反偏电压的升高，集电结空间电荷区宽度增加，使有效基区宽度减小，而当反偏电压降低，集电结空间电荷区宽度随之减小，导致有效基区宽度增加。则Ic变小。这种基区有效
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