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半导体电极
2009-06-03
sylar
- semiconductor electrode
将半导体作为电极材料时，半导体及与它紧密接触的电解质构成半导体电极。[1]
它与金属电极材料的主要差别为：(1)有电子和空穴，都能导电，两者的浓度可以通过掺杂改变，但载流子的浓度比金属低好几个数量级，故表面将形成空间电荷层；(2)因表面缺陷、吸附、氧化物生成等原因形成“表面态”能级，影响电极性能；(3)合适的光照将产生光电流。
这些特点形成了半
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凹坑
2009-06-03
sylar
- intrusion
半导体在像工艺中的一种局部区域缺陷，其特征是图像从边界向内部延伸的缺损。
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化合物半导体
2009-06-02
sylar
- compound semiconductor
通常所说的化合物半导体多指晶态无机化合物半导体，即是指由两种或两种以上元素以确定的原子配比形成的化合物，并具有确定的禁带宽度和能带结构等半导体性质。包括晶态无机化合物[1](如III-V族、II-VI族化合物半导体)及其固溶体、非晶态无机化合物(如玻璃半导体)、有机化合物(如有机半导体)和氧化物半导体等。通常所说的化合物半导体多指晶态无机化合物半导
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氧化物半导体
2009-06-02
sylar
- oxide semiconductor
具有半导体特性的一类氧化物。氧化物半导体的电学性质与环境气氛有关。导电率随氧化气氛而增加称为氧化型半导体，是p型半导体；电导率随还原气氛而增加称为还原型半导体，是n型半导体；导电类型随气氛中氧分压的大小而成p型或n型半导体称为两性半导体。非单晶氧化物可用纯金属高温下直接氧化或通过低温化学反应(如金属氯化物与水的复分解反应)来制备。氧化物单晶的制备有焰熔法
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半导体硅
2009-06-02
sylar
- semiconductor silicon[1]
质量符合半导体器件要求的硅材料。
包括多晶硅、单晶硅、硅晶片(包括切片、磨片、抛光片)、外延片、非晶硅薄膜、微晶硅薄膜等。
半导体硅用量或产量以单晶硅数量(以吨计)和硅片面积(平方英寸)来表述。
是一类具有半导体性能，用来制作半导体器件的硅材料，主要包括硅粉、硅棒、硅片、籽晶、单晶硅、多晶硅、半导体晶体管、单晶硅棒、单晶硅片、单晶硅切磨片、
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禁带
2009-06-02
sylar
- forbidden band
在能带结构中能态密度[1]为零的能量区间。常用来表示价带和导带之间的能态密度为零的能量区间。禁带宽度的大小决定了材料是具有半导体性质还是具有绝缘体性质。半导体的禁带宽度较小，当温度升高时，电子可以被激发传到导带，从而使材料具有导电性。绝缘体的禁带宽度很大，即使在较高的温度下，仍是电的不良导体。
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Gan
2009-06-02
sylar
- GaN
即氮化镓，属第三代半导体材料。
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永磁铁
2009-06-01
sylar
- 概述
永磁铁penusiteltt luagtebc materid
具有宽磁滞回线、高矫顽力、高剩磁，一经磁化即能保持恒定磁性的材科。又称永磁材料、硬磁材科。应用中，永磁体工作于深度磁饱和和充磁后磁瑞回线的第二象限退磁部分。永磁体应具有尽可能高的矫顽力Hc、剩磁Br与最大磁能积（BH）m，以保证储存最大的磁能及稳定的磁性。
分类
永磁铁按其成分可分为铁基、钴基、锰基和铁氧基四大类。
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晶格缺陷
2009-05-26
sylar
- 晶格缺陷【crystal defects】
在实际的晶体中，由于晶体形成条件、原子的热运动及其它条件的影响，原子的排列不可能那样完整和规则，往往存在偏离了理想晶体结构的区域。这些与完整周期性点阵结构的偏离就是晶体中的缺陷，它破坏了晶体的对称性。
缺陷对晶体的物理性质具有极其重要的影响，可分为面缺陷、线缺陷和点缺陷三种。其中晶粒间界、堆垛层错和孪晶间界属于面缺陷，晶粒间界指多晶体中晶粒之间的交界
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溅射
2009-05-26
sylar
- 溅射(sputtering)是PVD薄膜制备技术的一种，主要分为四大类：直流溅射、交流溅射、反应溅射和磁控溅射。
原理如下图：
原理：用带电粒子轰击靶材，加速的离子轰击固体表面时，发生表面原子碰撞并发生能量和动量的转移，使靶材原子从表面逸出并淀积在衬底材料上的过程。以荷能粒子(常用气体正离子)轰击某种材料的靶面，而使靶材表面的原子或分子从中逸出的现象。
用途：利用它可使他种基体材料表面获得金
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