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电子伏特
2009-06-25
单片机之父
- 电子伏特，简称为电子伏，缩写为 eV ，是能量的单位。代表一个电子（所带电量为-1.6×10-19库仑）经过1伏特的电场加速后所获得的动能。电子伏与SI制的能量单位焦耳（J）的换算关系是
1 eV = 1.60217653(14)×10-19 J (Source: CODATA 2002 recommended values)
[编辑] 电子伏特与质量
爱因斯坦提到能量等同于质量，即有名的
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电磁波
2009-06-16
sylar
- 目录·电磁波简介·电磁波的计算·电磁波的发现·电磁波谱·电磁辐射·电磁辐射对人体的伤害·电磁波的特性·直观动态演示·电磁波的应用·电磁波简介Top
电磁波（Electromagnetic wave)：（又称：电磁辐射、电子烟雾）是能量的一种。
定义：
从科学的角度来说，电磁波是能量的一种，凡是高于绝对零度的物体，都会释出电磁波。 正像人们一直生活在空气中而眼睛却看不见空气一样，除光波外，人们
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光学仪器
2009-06-16
sylar
- optical instrument
光学仪器是仪器仪表行业中非常重要的组成类别，是工农业生产、资源勘探、空间探索、科学实验、国防建设以及社会生活各个领域不可缺少的观察、测试、分析、控制、记录和传递的工具。特别是现代光学仪器的功能已成为人脑神经功能的延伸和拓展。
光学仪器经过长时间的发展，已经形成了照度计，熔点仪，目镜、物镜，紫外辐照计，经纬仪、水准仪，色差仪，光谱仪、光度计，其他光学仪器，刀
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军用红外技术
2009-06-16
sylar
- 应用于军事领域的一项新兴光学技术。主要研究物体红外辐射的产生和传输特性、探测和识别规律及其应用。
简史
1800年，英国天文学家F.W.赫歇耳发现了红外线。红外技术在军事上的实际应用始于
第二次世界大战期间。当时,德国研制和使用了一些红外技术装备,其中有红外通信设备和红外夜视仪，它们都属于主动式红外系统。战后，由于红外光子探测器和透红外光学材料的迅速发展，红外技术的应用引起军事部门的重
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红外热像技术
2009-06-16
sylar
- [定义]
为使热成像系统正常工作，将其探测器元件冷却至低温或深低温的技术，又称低温恒温器技术。该技术的主要任务有二点：一是通过制冷形成一个合适的低温恒温环境，以保证需要在低温下工作的电子器件或系统功能正常，或提高器件的灵敏度；二是屏蔽或减小来自热成像系统的滤光片、挡板及光学系统本身等带来的热噪声。
制冷器的工作原理包括物理和化学两种方法。根据使用场合和所需要制冷温度不同，可利用不同原理制成适当
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红外热成像制冷技术
2009-06-16
sylar
- [定义]
为使热成像系统正常工作，将其探测器元件冷却至低温或深低温的技术，又称低温恒温器技术。该技术的主要任务有二点：一是通过制冷形成一个合适的低温恒温环境，以保证需要在低温下工作的电子器件或系统功能正常，或提高器件的灵敏度；二是屏蔽或减小来自热成像系统的滤光片、挡板及光学系统本身等带来的热噪声。
制冷器的工作原理包括物理和化学两种方法。根据使用场合和所需要制冷温度不同，可利用不同原理制成适当
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太阳能
2009-06-05
sylar
- 目录·【概念】·【原理】·【太阳能电池发电原理】·【晶体硅太阳电池的制作过程】·【利用太阳能的历史】·【利弊】·【我国太阳能资源】·【太阳能热利用】·【空间太阳能电源】·【第一个太阳能发电站】·【太阳能电池】·神奇的太阳能卷曲充电器·太阳能利用基本方式·我国太阳能利用产业现状·我国太阳能利用产业前景·太阳能热水器防冻技术·【概念】Top
太阳能（Solar）一般指太阳光的辐射能量。在太阳内部进行
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热噪声
2009-06-04
sylar
- 英文名:thermal noise
又称白噪声。是由导体中电子的热震动引起的，它存在于所有电子器件和传输介质中。它是温度变化的结果，但不受频率变化的影响。热噪声是在所有频谱中以相同的形态分布，它是不能够消除的，由此对通信系统性能构成了上限。
或称约翰逊噪声（Johnson noise）。噪声的一种。当光电倍增管施加负高压，而无光投射光电阴极时，由于光电极极与倍增极的电子热发射和玻璃外壳与管座的
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微晶半导体
2009-06-03
sylar
- microcrystalline semiconductor[1]
具有半导体性质的微晶相和无定形相的复相结构薄膜组成的半导体材料。
材料的平均大小在数纳米至数十纳米之间。
微晶半导体中有一类特别的材料叫微晶硅(μc-Si)。
通常用气相沉积法、磁控溅射法、非晶硅热处理法制备，在太阳能电池、传感器和集成电路等领域内应用。
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注入式激光器
2009-06-03
sylar
- 注入式激光器
又称p-n junction laser，半导体结型二极管激光器。是目前较成熟、较常用的一类半导体激光器，于1962年首次研制成功。它的主体是一个正向偏置的p-n结，当电流密度超过阈值时，注入载流子（电子和空穴）在p-n结结区通过受激辐射复合，产生激光。其工作特性和输出特性受温度影响极大，故备有冷却系统。最早的同质结型砷化镓（GaAs）半导体激光器，在一块经过加工的砷化镓单晶体的上
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