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红外热像技术
2009-06-16
sylar
- [定义]
为使热成像系统正常工作，将其探测器元件冷却至低温或深低温的技术，又称低温恒温器技术。该技术的主要任务有二点：一是通过制冷形成一个合适的低温恒温环境，以保证需要在低温下工作的电子器件或系统功能正常，或提高器件的灵敏度；二是屏蔽或减小来自热成像系统的滤光片、挡板及光学系统本身等带来的热噪声。
制冷器的工作原理包括物理和化学两种方法。根据使用场合和所需要制冷温度不同，可利用不同原理制成适当
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红外热成像制冷技术
2009-06-16
sylar
- [定义]
为使热成像系统正常工作，将其探测器元件冷却至低温或深低温的技术，又称低温恒温器技术。该技术的主要任务有二点：一是通过制冷形成一个合适的低温恒温环境，以保证需要在低温下工作的电子器件或系统功能正常，或提高器件的灵敏度；二是屏蔽或减小来自热成像系统的滤光片、挡板及光学系统本身等带来的热噪声。
制冷器的工作原理包括物理和化学两种方法。根据使用场合和所需要制冷温度不同，可利用不同原理制成适当
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太阳能
2009-06-05
sylar
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太阳能（Solar）一般指太阳光的辐射能量。在太阳内部进行
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热噪声
2009-06-04
sylar
- 英文名:thermal noise
又称白噪声。是由导体中电子的热震动引起的，它存在于所有电子器件和传输介质中。它是温度变化的结果，但不受频率变化的影响。热噪声是在所有频谱中以相同的形态分布，它是不能够消除的，由此对通信系统性能构成了上限。
或称约翰逊噪声（Johnson noise）。噪声的一种。当光电倍增管施加负高压，而无光投射光电阴极时，由于光电极极与倍增极的电子热发射和玻璃外壳与管座的
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微晶半导体
2009-06-03
sylar
- microcrystalline semiconductor[1]
具有半导体性质的微晶相和无定形相的复相结构薄膜组成的半导体材料。
材料的平均大小在数纳米至数十纳米之间。
微晶半导体中有一类特别的材料叫微晶硅(μc-Si)。
通常用气相沉积法、磁控溅射法、非晶硅热处理法制备，在太阳能电池、传感器和集成电路等领域内应用。
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注入式激光器
2009-06-03
sylar
- 注入式激光器
又称p-n junction laser，半导体结型二极管激光器。是目前较成熟、较常用的一类半导体激光器，于1962年首次研制成功。它的主体是一个正向偏置的p-n结，当电流密度超过阈值时，注入载流子（电子和空穴）在p-n结结区通过受激辐射复合，产生激光。其工作特性和输出特性受温度影响极大，故备有冷却系统。最早的同质结型砷化镓（GaAs）半导体激光器，在一块经过加工的砷化镓单晶体的上
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半导体电极
2009-06-03
sylar
- semiconductor electrode
将半导体作为电极材料时，半导体及与它紧密接触的电解质构成半导体电极。[1]
它与金属电极材料的主要差别为：(1)有电子和空穴，都能导电，两者的浓度可以通过掺杂改变，但载流子的浓度比金属低好几个数量级，故表面将形成空间电荷层；(2)因表面缺陷、吸附、氧化物生成等原因形成“表面态”能级，影响电极性能；(3)合适的光照将产生光电流。
这些特点形成了半
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分布反馈
2009-06-03
sylar
- 分布反馈激光器
distributed feedback laser
采用折射率周期变化的结构实现谐振腔反馈功能的半导体激光器。这种激光器不仅使半导体激光器的某些性能（如模式、温度系数等）获得改善，而且由于它采用平面工艺，在集成光路中便于与其他元件耦合和集成。
1970年采用双异质结的GaAs－GaAlAs注入式半导体激光器实现了室温连续工作。与此同时，贝尔实验室H.利戈尼克等发现在周期结构
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元素半导体
2009-06-03
sylar
- element semiconductor[1]
具有半导体特性的元素，如硅、锗、硼、硒、碲、碳、碘等组成的材料。
其导电能力介乎导体和绝缘体之间。
一般电阻率在10-7～10-3之间。
主要采用直拉法、区熔法或外延法制备。
工业上应用最多的是硅、锗、硒。
用于制作各种晶体管、整流器、集成电路、太阳能电池等方面。
其他硼、碳(金刚石、石墨)、碲、碘及红磷、灰砷、灰锑、灰铅、硫也是半导
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表面态
2009-06-03
sylar
- surface state
理想表面是指表面层中原子排列的对称性与体内原子完全相同，且表面上不附着任何原子或分子的半无限晶体表面(即晶体的自由表面)。理论分析表明，在表面外侧和内侧，电子的波函数都按指数关系衰减，这表明电子的分布几率在表面处最大，即电子被局限在表面附近。这种电子状态即称作表面态，对应的能级称为表面能级。
在半导体的表面，由于存在自身缺陷、吸附物质、氧化物或与电解液中的物质发生
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