-
相变存储技术
2015-10-29
不爱吃窝瓜
- 相变存储器(OUM)
奥弗辛斯基(Stanford
Ovshinsky)在1968年发表了第一篇关于非晶体相变的论文，创立了非晶体半导体学。一年以后，他首次描述了基于相变理论的存储器：材料由非晶体状态变成晶体，再变回非晶体的过程中，其非晶体和晶体状态呈现不同的反光特性和电阻特性，因此可以利用非晶态和晶态分别代表“0”和“1”来存储数据。后来，人们将这一学说称为奥弗辛斯基电子效应。相变存储器是基
-
相变内存
2015-03-18
不爱吃窝瓜
- 相变内存
中文名相变内存
外文名Phase-Change Memory
简 称PCM
特 性非易失性的内存产品
目录
1基本概念
2产品优点
3开发现状
4英特尔研究员解说
5镁光宣布世界首次量产相变内存
1基本概念
相变内存的英文是“Phase-Change Memory”，简称“PCM”，是一种非易失性的内存产品。
相变内存是下一代内存（闪存）技术，英特尔
RSS订阅
