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磁畴
2009-11-26
sdjntl
- 磁畴磁畴(Magnetic Domain)理论是用量子理论从微观上说明铁磁质的磁化机理。所谓磁畴，是指磁性材料内部的一个个小区域，每个区域内部包含大量原子，这些原子的磁矩都象一个个小磁铁那样整齐排列，但相邻的不同区域之间原子磁矩排列的方向不同，如图所示。各个磁畴之间的交界面称为磁畴壁。宏观物体一般总是具有很多磁畴，这样，磁畴的磁矩方向各不相同，结果相互抵消，矢量和为零，整个物体的磁矩为零，它也就不
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磁滞
2009-11-26
sdjntl
- 磁滞磁滞[1]的概念（Hysteresis）铁磁性物质磁感应强度随磁场强度变化时特有的现象。
铁磁材料除了具有高的磁导率外,另一重要的磁性特点就是磁滞。
铁磁体在反复磁化的过程中，它的磁感应强度的变化总是滞后于它的磁场强度，这种现象叫磁滞。
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红外辐射
2009-11-26
sdjntl
- 红外辐射红外辐射 ｉｎｆｒａｒｅｄ ｒａｄｉａｔｉｏｎ
波长比可见辐射长的光学辐射。通常将波长范围在７８０ｎｍ和１ｍｍ之间的红外辐射细分为：
ＩＲ－Ａ７８０～１４００ｎｍ
ＩＲ－Ｂ１．４～３μｍ
ＩＲ－Ｃ３μｍ～１ｍｍ
红外辐射是比可见光波段中最长的红光的波长还要长，介于红光与无线电波微波之间的电磁波，其波长范围在7乘以10的负7次方～1毫米之间。太阳光和物体的热辐射都包括红外辐射。
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电位移矢量
2009-11-26
sdjntl
- 电位移矢量电位移矢量D D的高斯定理
引入电位移矢量(electric displacement)
D=ε0E+P (ε0 为真空介电常数 ;P 为电极化强度;国际单位制(SI)中 单位: C/m2 )
D的主要用途：高斯定理
∮Dds=∑Q(f内）
通过任意闭合曲面的电位移通量等于该闭合面所包围的自由电荷的代数和。
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等离子隐身
2009-11-26
sdjntl
- 等离子隐身目录[隐藏]
等离子隐身介绍
各国发展概况
等离子体干扰雷达波的方式
等离子体的产生方法
[编辑本段]等离子隐身介绍
我们知道，所谓等离子体就是气体中的原子或分子受到外界高能作用（如高能粒子的轰击或者激光的照射等）的时候，原子中的部分电子因吸收了能量而脱离开原子成为自由电子。此时，构成气体的成分由原来不带电的原子或分子变成了正负离子，气体的物理性质发生了巨大变化
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磁能积
2009-11-26
sdjntl
- 磁能积磁能积(（BH）max )
单位为兆高·奥（MGOe）或焦/米3（J/m3）
退磁曲线上任何一点的B和H的乘积即BH我们称为磁能积，而B×H的最大值称之为最大磁能积，为退磁曲线上的D点。磁能积是恒量磁体所储存能量大小的重要参数之一。在磁体使用时对应于一定能量的磁体，要求磁体的体积尽可能小。
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电子电荷
2009-11-26
sdjntl
- 电子电荷电荷的一个重要特性是它的“量子性”，即任何带电体的电荷只能是某一基本单位的整数倍。这个基本单位就是一个电子所带的电荷，叫做电子电荷，记做e。质子的电荷与电子电荷的绝对值相同，只不过质子的电荷是正的。近代物理从理论上预言有一种电量为±（1/3）e或±（2/3）e的基本粒子（称为层子或夸克）存在，并认为质子和中子等许多粒子都由层子组成，不过层子至今尚未直接为实验发现。
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潘宁效应
2009-11-26
sdjntl
- 潘宁效应
英文名称：
Penning effect
[编辑本段]概述
在霓虹灯管中充入两种以上的混合气 ，（混合气的混合比有很严格的要求） ，气体被击穿的电位明显低于单纯气体的击穿电位从而极大地降低了启动电压，这一现象就是著名的潘宁效应，潘宁效应决定了混合气具有非常优越的性质。
在等离子体物理中，潘宁效应也可以叫做潘宁离化，这个过程指的是处于亚稳态的原子与原子或分子撞击而发生的离化效应
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光敏电阻器
2009-11-26
sdjntl
- 光敏电阻器光敏[电阻器又称光导管，特性是在特定光的照射下，其阻值迅速减小，可用于检测可见光。
光敏电阻器是利用半导体的光电效应制成的一种电阻值随入射光的强弱而改变的电阻器；入射光强，电阻减小，入射光
弱，电阻增大。光敏电阻器一般用于光的测量、光的控制和光电转换（将光的变化转换为电的变化）。
通常，光敏电阻器都制成薄片结构，以便吸收更多的光能。当它受到光的照射时，半导体片（光敏层）内就激发出电
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极板
2009-11-26
sdjntl
- 极板plate
化学电源的两个电极由活性物质和支撑及导电用的“集电体”组成，一般为片状多孔体，称为极板。
极板在制作时往往并非把活性物质直接加入集电体中，而是将原材料制成胶糊状，涂敷在板栅之上，或者将原材料灌入玻璃丝管中，再经化成过程生成活性物质。前者称为涂膏式极板（pasted plate），后者称为管式极板（tubular plate），这是铅酸蓄电池常见的两种极板形式。也可将原材料填入多
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