| 开放分类包含“闪存”的词条： |
| NOR |
| NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。 相“flash存储器”经常可 |
| 2008-04-03 yue411 |
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| NAND |
| 一般快闪记忆体可分为二大规格，一是NAND，一是NOR.
简单的来说，NAND规格快闪记忆体像硬碟，以储存数据为主，又称为Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已达二Gb；NOR规格记忆体则类似DRAM，以储存程序代码为主，又称为Co deFlash，所以可让微处理器直接读取，但晶片容量较低，主流容量为五一二Mb。
NAND规格与NOR规格快闪记忆体除了容量上的不同，读写速度也有很 |
| 2008-04-03 yue411 |
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| FLASH |
| 闪存（Flash ROM）：
是一种电擦除非易失型存储器，由浮栅型场效应管构成，写入时，利用热电子注入，使浮栅带电；擦除时，则利用高压下的隧道效应，使浮栅失去电子。
FLASH闪存是半导体技术，内部是相对静态的，体积小，抗震性很高（便于携带）。加上半导体技术发展很快，价格下降也很快，这是目前的MP3大多数是用FLASH闪存的原因。 |
| 2008-04-03 yue411 |
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