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EEPW百科待完善词条

功率谱 2008-04-03 dilingling
周期运动在功率谱中对应尖锋,混沌的特征是谱中出现"噪声背景"和宽锋。它是研究系统从分岔走向混沌的重要方法。 在很多实际问题中(尤其是对非线性电路的研究)常常只给出观测到的离散的时间序列X1, X2, X3,...Xn,那么如何从这些时间序列中提取前述的四种吸引子(零维不动点、一维极限环、二维环面、奇怪吸引子)的不同状态的信息呢? 我们可以运用数学上已经严格证明的结论,即拟合。我们将N个采样值加上周
PSOC 2008-04-03 mjei
PSoC:(power system on a chip)单片片上功率系统。它能把传感器件与电路、信号处理电路、接口电路、功率器件和电路等集成在一个硅芯片上,使其具有按照负载要求精密调节输出和按照过热、过压、过流等情况自我进行保护的智能功能,其优越性不言而喻。国际专家把它的发展喻为第二次电子学革命。 赛普拉斯的PSoC(TM)混合信号阵列是可编程的片上系统(SOC),其集成了微控制器以及嵌入式系
ESP 2008-04-03 jackwang
车身电子稳定系统(Electronic Stablity Program,简称ESP)是由奔驰汽车公司首先应用在它的A级车上的。ESP实际上是一种牵引力控制系统,与其他牵引力控制系统比较,ESP不但控制驱动轮,而且可控制从动轮。如后轮驱动汽车常出现的转向过多情况,此时后轮失控而甩尾,ESP便会刹慢外侧的前轮来稳定车子;在转向过少时,为了校正循迹方向,ESP则会刹慢内后轮,从而校正行驶方向。 El
峰功率 2008-04-03 dilingling
所谓的峰值功率就是按AC的峰值计算而得出来的!不是电源和额定功率,但是与电源的额定功率是有一定的倍比关系,就是额定功率乘以1.414就是峰值功率.
NOR 2008-04-03 yue411
NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。 相“flash存储器”经常可
NAND 2008-04-03 yue411
一般快闪记忆体可分为二大规格,一是NAND,一是NOR. 简单的来说,NAND规格快闪记忆体像硬碟,以储存数据为主,又称为Data Flash,晶片容量大,目前主流容量已达二Gb;NOR规格记忆体则类似DRAM,以储存程序代码为主,又称为Co deFlash,所以可让微处理器直接读取,但晶片容量较低,主流容量为五一二Mb。 NAND规格与NOR规格快闪记忆体除了容量上的不同,读写速度也有很
瓦特 2008-04-03 dilingling
瓦特的定义是1 焦耳 / 秒 (1 J/s),即每秒钟转换,使用或耗散的?以焦耳为量度的) 能量 的速率。
FLASH 2008-04-03 yue411
闪存(Flash ROM): 是一种电擦除非易失型存储器,由浮栅型场效应管构成,写入时,利用热电子注入,使浮栅带电;擦除时,则利用高压下的隧道效应,使浮栅失去电子。 FLASH闪存是半导体技术,内部是相对静态的,体积小,抗震性很高(便于携带)。加上半导体技术发展很快,价格下降也很快,这是目前的MP3大多数是用FLASH闪存的原因。
转换效率 2008-04-03 dilingling
为什么会有电源转换效率这个概念呢?这要先从电源的物理结构讲起。大家知道电源其实就是一个由变压器和交流/ 直流转换器以及相应稳压电路所组成的“综合变电器”。这个“综合变电器”里面包含两个主要部件—“变压器”和“电流转换器”,而这两个部件本身就存在着电能的消耗,它们附属的稳压电路自然也不例外,因此电源本身又是一个“耗电器”。输入电源的能量并不能100% 转化为供主机内各部件使用的有效能量,这样就出现了
变换 2008-04-03 dilingling
模拟和数字信号间的变换: AD:模数转换,将模拟信号变成数字信号,便于数字设备处理。 DA:数模转换,将数字信号转换为模拟信号与外部世界接口。