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数据电缆
2015-10-29
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1 简介
2 标准概述
3 发展现状
简介
随着光通信技术的高速发展，我国有线通信网的骨干网和局间中继线路已普遍使用光缆，光纤进入接入网已成为必然趋势。但光缆敷设费用太高，接头费用和终端光-电转换费用昂贵，因此，在光纤化普及前的很长一段时间内，接入网的用户线仍将以金属缆为主。金属缆主要包括全塑电缆、同轴电缆和数据电缆三种。其中，数据电缆是目前比较理想的宽带接入网的传输媒体，它具有制
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图像传感技术
2015-10-29
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1 固态图像传感器
2 红外图像传感器
3 超导图像传感器
固态图像传感器
固态图像传感器是利用光敏元件的光电转换功能将投射到光敏单元上的光学图像转换成电信号“图像”，即将光强的空间分布转换为与光强成比例的电荷包空间分布，然后利用移位寄存器功能将这些电荷包在时钟脉冲控制实现读取与输出，形成一系列幅值不等的时钟脉冲序列，完成光图像的电转换。
1.1 固态图像传感器的特点
固态图像
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覆晶封装技术
2015-10-29
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- 我们都知道鸟笼是用竹棒把上下两块木板撑出一个空间，鸟就生活在这里面。我们将要说到的覆晶封装和鸟笼是有相似之处的。下面我们就来看一下什么是覆晶封装技术。
我们通常把晶片经过一系列工艺后形成了电路结构的一面称作晶片的正面。原先的封装技术是在衬底之上的晶片的正面是一直朝上的，而覆晶技术是将晶片的正面反过来，在晶片（看作上面那块板）和衬底（看作下面那块板）之间及电路的外围使用凸块（看作竹棒）连接，也就是
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光缆成端
2015-10-29
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1 简介
2 区别
3 监测方法
简介
光缆成端的含义是指：室外光缆进入机房后，将光缆外护套开剥一定长度，使光纤套管和加强芯裸露出来，进行以下操作：
1.将金属加强芯与ODF架上的接地端子紧固连接，使光缆金属件良好接地，避免雷击；
2.将光纤套管用塑料扎带在ODF机架内绑扎整齐，每个套管对应一个熔纤盘；
3.将光纤套管开剥一定长度，将光纤与尾纤进行熔接，然后将尾纤和光纤在熔纤
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声光报警器
2015-10-29
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1 概述说明
2 设置安装要求
3 技术参数
4 安装方法
概述说明
声光报警器（又叫声光警号）是一种用在危险场所，通过声音和各种光来向人们发出示警信号的一种报警信号装置。防爆声光报警器适用于安装在含有ⅡC级T6温度组别的爆炸性气体环境场所，还可使用于石油、化工等行业具有防爆要求的1区及2区防爆场所，也可以露天、室外使用。非编码型可以和国内外任何厂家的火灾报警控制器配套使用。当生
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人联网
2015-10-29
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1 “人联网”概念
2 “人联网”历程
3 “人联网”发展
“人联网”概念
人联网，第十届中国互联网大会暨第三届中国网民文化节在北京国际会议中心举行。以此为契机[1] ，再一次掀起了整个社会对互联网发展的关注、憧憬和探讨。与此同时，一个创新的概念—“人联网”也悄然诞生。
人联网，并不是与物联网相对立的一个概念，而是包容物联网、传统讯息内容互联网、以及服务互联网的一个综合构架。
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热感应触控屏
2015-10-29
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- 即电容触控屏。 电容技术触摸屏Capacity Touch Panel(CTP)是利用人体的电流感应进行工作的。电容式触摸屏是一块四层复合玻璃屏，玻璃屏的内表面和夹层各涂有一层ITO，最外层是一薄层矽土玻璃保护层,夹层ITO涂层作为工作面,四个角上引出四个电极，内层ITO为屏蔽层以保证良好的工作环境。
在化学上，ITO 是Indium Tin Oxides的缩写。 作为纳米铟锡金属氧化物，具有很
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红外遥控
2015-10-29
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1 红外线
2 红外遥控的基本原理
3 红外遥控的应用范围
红外线
红外线又称红外光波，在电磁波谱中，光波的波长范围为0.01um~1000um。根据波长的不同可分为可见光和不可见光，波长为0.38um~0.76um的光波可为可见光，依次为红、橙、黄、绿、青、蓝、紫七种颜色。光波为0.01um~0.38um的光波为紫外光(线)，波长为0.76um~1000um的光波为红外光(线)。
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手机ic
2015-10-29
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1 手机IC
2 手机IC 分类
3 手机IC 解决增益变化过高损坏喇叭问题
手机IC
手机IC就是应用在手机上面的半导体元件产品的统称。其中IC包括: 1.集成电路(integrated circuit,缩写:IC) 2.二,三极管. 3.特殊电子元件. 再广义些讲还涉及所有的电子元件,象电阻,电容,电路版/PCB版,等许多相关产品.
手机IC 分类
手机IC按功能可分为：放
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纳米电子学
2015-10-29
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1 简介
2 发展
3 纳米电子学的十大难题
简介
纳米电子学是讨论纳米电子元件、电路、集成器件和信息加工的理论和技术的新学科。它代表了微电子学的发展趋势并将成为下一代电子科学与技术的基础。最先实用化的三种器件和技术分别是纳米MOS器件，共振隧穿器件和单电子存储器。
发展
近年来，在国家几项基金项目的支持下，开展了深亚微米MOS器件，单电子器件以及纳米结构电子输运理论的研究。在
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