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CPU制造工艺
2009-06-26
gsfei2009
- CPU制造工艺-简介 指在硅材料上生产CPU时内部各元器材的连接线宽度，一般用微米表示。微米值越小制作工艺越先进，CPU可以达到的频率越高，集成的晶体管就可以更多。 CPU制造工艺-备注
目前Intel的P4和AMD的XP都已经达到了0.13微米的制造工艺，明年将达到0.09微米的制作工艺。
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固态电子器件
2009-06-23
gsfei2009
- 利用固体内部电子运动变化原理制成的具有一定功能的电子器件。在室温下，就导电性能来说，固体可分为绝缘体、半导体和导体三类。绝缘体内部自由电子非常少，电阻率在1022 ～1010欧·厘米范围内。导体内部的自由电子密度不仅很大，而且不受环境温度的影响，电阻率一般在10-4～10-6 欧·厘米范围。半导体内部的自由载流子密度受外界环境的影响很大，电阻率介于绝缘体和导体之间。半导体的电学性能很容易受各种因素
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晶圆级封装
2009-06-23
gsfei2009
- 在一些古董展览会上，我们经常会看到这样的情形，即用一只玻璃罩罩在古董上。为了空气不腐蚀古董，还会采用一些方法使玻璃罩和下面的座垫之间密封。下面我们借用这个例子来理解晶圆级封装。
晶圆级封装(WLP)就是在其上已经有某些电路微结构（好比古董）的晶片（好比座垫）与另一块经腐蚀带有空腔的晶片（好比玻璃罩）用化学键结合在一起。在这些电路微结构体的上面就形成了一个带有密闭空腔的保护体（硅帽），可以避免器
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凸块制程
2009-06-23
gsfei2009
- 我们小时候经常玩橡皮泥，可能还这样子玩过，就是先把橡皮泥捏成一个头状，再在上面加上眼睛、鼻子、耳朵等。而我们长凸块就和刚刚说到的"长"眼睛、鼻子、耳朵差不多了。
晶圆制造完成后，在晶圆上进行长凸块制程。在晶圆上生长凸块后，我们所看到的就像是一个平底锅，锅的边沿就是凸块，而中间部分就是用来形成电路结构的。按凸块的结构分，可以把它分为本体和球下冶金层（UBM）两个部分。
就目前晶圆凸块制程而言，
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覆晶封装
2009-06-23
gsfei2009
- 我们都知道鸟笼是用竹棒把上下两块木板撑出一个空间，鸟就生活在这里面。我们将要说到的覆晶封装和鸟笼是有相似之处的。 下面我们就来看一下什么是覆晶封装技术。
我们通常把晶片经过一系列工艺后形成了电路结构的一面称作晶片的正面。原先的封装技术是在衬底之上的晶片的正面是一直朝上的，而覆晶技术是将晶片的正面反过来，在晶片（看作上面那块板）和衬底（看作下面那块板）之间及电路的外围使用凸块（看作竹棒）连接，也
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多项目晶圆（MPW）
2009-06-23
gsfei2009
- 随着制造工艺水平的提高，在生产线上制造芯片的费用不断上涨，一次0.6微米工艺的生产费用就要20-30万元，而一次0.35微米工艺的生产费用则需要60-80万元。如果设计中存在问题，那么制造出来的所有芯片将全部报废。为了降低成本，我们采用了多项目晶圆。
所谓多项目晶圆(简称MPW)，就是将多种具有相同工艺的集成电路设计放在同一个硅圆片上、在同一生产线上生产，生产出来后，每个设计项目可以得到数十片
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硅片制造
2009-06-23
gsfei2009
- 我们知道许多电器中都有一些薄片，这些薄片在电器中发挥着重要的作用，它们都是以硅片为原材料制造出来的。硅片制造为芯片的生产提供了所需的硅片。那么硅片又是怎样制造出来的呢？
硅片是从大块的硅晶体上切割下来的，而这些大块的硅晶体是由普通硅沙拉制提炼而成的。可能我们有这样的经历，块糖在温度高的时候就会熔化，要是粘到手上就会拉出一条细丝，而当细丝拉到离那颗糖较远的地方时就会变硬。其实我们这儿制造硅片，首
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前、后工序
2009-06-23
gsfei2009
- IC制造过程中, 晶圆光刻的工艺(即所谓流片),被称为前工序,这是IC制造的最要害技术;晶圆流片后,其切割、封装等工序被称为后工序.
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晶圆
2009-06-23
gsfei2009
- 多指单晶硅圆片,由普通硅沙拉制提炼而成,是最常用的半导体材料,按其直径分为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等规格,近来发展出12英寸甚至更大规格.晶圆越大,同一圆片上可生产的IC就多,可降低成本;但要求材料技术和生产技术更高.
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快恢复二极管
2009-06-23
gsfei2009
- 即Fast Recovery Diode-FRD。属于二极管器件。但相对于普通二极管而言其恢复过程很短，特别是反向恢复时间（一般在5us以下）。工艺上多采用掺金措施，结构上采用PN结型或改进的PiN结构。从性能上说，FRD又可分为快速恢复和超快速恢复两个等级。
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