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- 砷化镓金属化半导体场效应晶体管
GaAs MESFET
gallium arsenide metal semiconductor field effect transistor
金属半导体场效应管的一种。其工作原理为：在半绝缘GaAs衬底上，外延生长一层一定厚度的N型GaAs。栅极金属与N型GaAs层形成肖特基势垒，栅极下面GaAs中出现耗尽层，耗尽层下面是电中性的导电沟道。当栅极加反向偏压（对N型GaAs衬底，栅极加负电压）时，栅压（绝对值）愈大，耗尽层愈宽，则中性沟道就愈窄，沟道电导变小。在源漏电压一定的情况下，沟道电流变小。即通过栅极电压调控漏极电流的大小，因此它是一个电压控制型器件。
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金属半导体场效应管的一种。其工作原理为：
在半绝缘GaAs衬底上，外延生长一层一定厚度的N型GaAs。栅极金属与N型GaAs层形成肖特基势垒，栅极下面GaAs中出现耗尽层，耗尽层下面是电中性的导电沟道。当栅极加反向偏压（对N型GaAs衬底，栅极加负电压）时，栅压（绝对值）愈大，耗尽层愈宽，则中性沟道就愈窄，沟道电导变小。在源漏电压一定的情况下，沟道电流变小。即通过栅极电压调控漏极电流的大小，因此它是一个电压控制型器件。
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