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OCP-IP
2010-10-29
bjtiger
- 开放式内核协议国际同盟(OCP-IP)是一个独立、非营利的半导体工业联盟，致力于扶持、促进和提高开放式内核协议的管理。
OCP是第一套为半导体知识产权内核提供的全面支持，公开授权，广泛的接口插件。OCP－IP的使命是为SOC产品设计常见的IP复用问题提供设计，验证和测试。
OCP-IP通过在系统级集成上倡导IP核重用，为SoC设计减少设计时间，风险和制造成本。
OCP-IP由会员年费支持，会
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快闪记忆体
2010-07-28
sdjntl
- 快闪记忆体 百科名片
快闪记忆体的英文名称是"Flash Memory"，一般简称为"Flash"，它属于内存器件的一种。
目录[隐藏]
二、闪存的物理特性与常见的内存的差异
三、性能比较
四、接口差别
五、容量和成本
六、可靠性和耐用性
七、寿命(耐用性)
八、位交换
九、坏块处理
十、易于使用
十一、软件支持
十二、其他作用二、闪存的物理特性与常见的内存的差异
三、
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存储
2010-06-22
sdjntl
- 存储
cún chǔ （存存储[1]储） 1.把钱或物等积存起来。《清会典事例·户部·库藏》：“户部奏部库空虚，应行存储款项。”《清会典·户部仓场衙门·侍郎职掌》：“每年新漕进仓，仓场酌量旧存各色米多寡匀派分储，将某仓存储某年米色数目，造册先期咨部存案。” 鲁迅 《书信集·致李小峰》：“《旧时代之死》之作者之家族，现颇窘，几个友人为之集款存储，作孩子读书之用。” 2.指积存的钱或物等。 沙汀
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闪存芯片
2010-06-22
sdjntl
- 闪存芯片 目录[隐藏]
闪存芯片简介闪存介绍
闪存的分类
闪存的速度其实很有限
NAND型闪存的技术特点擦除操作
寻址
决定NAND型闪存的因素1．页数量
2．页容量
3．块容量
4．I/O位宽
5．频率
6．制造工艺
闪存芯片简介 闪存介绍
闪存的分类
闪存的速度其实很有限
NAND型闪存的技术特点 擦除操作
寻址
决定NAND型闪存的因素 1．页数量
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DS3644
2010-06-21
sky2009
- Maxim推出带有1024字节无痕迹存储器的安全管理器DS3644，可安全存储敏感数据。器件内部的篡改监测器能够有效抵御时钟、电信号和温度篡改事件，还可将篡改检测输入连接至外部传感器，实现灵活的定制特性。片内无痕迹存储器允许终端用户在发生特定篡改事件时有选择地清除存储器数据。这种具有专利保护的存储器架构*能够确保在发生篡改事件时立即擦除数据，从而提高了基于SRAM存储器的系统安全等级。DS3644
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嵌入式存储技术
2010-06-19
sdjntl
- 储器的类型将决定整个嵌入式系统的操作和性能，因此存储器的选择是一个非常重要的决策。
无论系统是采用电池供电还是由市电供电，应用需求将决定存储器的类型(易失性或非易失性)以及使用目的(存储代码、数据或者两者兼有)。另外，在选择过程中,存储器的尺寸和成本也是需要考虑的重要因素。对于较小的系统，微控制器自带的存储器就有可能满足系统要求，而较大的系统可能要求增加外部存储器。为嵌入式系统选择存储器类
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移动存储
2010-06-19
sdjntl
- 移动存储器 就是闪存盘
闪存盘是一种采用USB接口的无需物理驱动器的微型高容量移动存储产品,它采用的存储介质为闪存(FlashMemory)。闪存盘不需要额外的驱动器，将驱动器及存储介质合二为一，只要接上电脑上的USB接口就可独立地存储读写数据。闪存盘体积很小，仅大拇指般大小，重量极轻，约为20克，特别适合随身携带。闪存盘中无任何机械式装置，抗震性能极强。另外，闪存盘还具有防潮防磁，耐高低温（
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FWA-6500
2010-04-27
sky2009
- 研华近日推出了FWA-6500双处理器设备，该设备基于现今流行的Intel Xeon处理器5600系列。
FWA-6500具有双处理器的性能，可进行多个GbE和10GbE连接的高速模块化I/O处理。系统专为高端网络安全和数据包处理应用而设计，充分利用了IntelAES新指令集(IntelAES-NI)，可以空出更多的处理器周期，增强了虚拟化和处理能力。IntelAES-NI添加的新指令可以提供
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NS-520
2010-04-25
wuqinyong
- NS-520具有750GB*5的网络存储容量，而且NS-520是完全的即插即用设备，可让校园网中的存储空间完成在线扩容，以解决网络存储随着使用产生的容量不足的问题。学校无需给每台计算机增加硬盘，就可根据实际需要，随时给教师和学生动态分配所需的存储空间。
同时，在不影响现有网络的存储结构和中断网络运行的同时，用户无需通过网络服务器，可直接通过网络共享NS-520设备中的数据，即使网络服务器发生崩
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半导体存储器
2010-04-19
wuqinyong
- 半导体存储器(semi-conductor memory)
是一种以半导体电路作为存储媒体的存储器。
按其制造工艺可分为：双极晶体管存储器和MOS晶体管存储器。
按其存储原理可分为：静态和动态两种。
其优点是：体积小、存储速度快、存储密度高、与逻辑电路接口容易。
主要用作高速缓冲存储器、主存储器、只读存储器、堆栈存储器等。
半导体存储器的两个技术指标是：存储容量和存取时间。
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