索阅 100例 首 页| 资 讯| 下 载| 论 坛| 博 客| Webinar| 高 校| 专 刊| 会展| EETV| 百科| 问答| 电路图| 工程师手册| Datasheet

EEPW首页 > 百科 > 表面牺牲层技术

表面牺牲层技术


贡献者:sdjntl    浏览:1901次    创建时间:2010-03-18

即在形成微机械结构的空腔或可活动的微结构过程中,先在下层薄膜上用结构材料淀积所需的各种特殊结构件,再用化学刻蚀剂将此层薄膜腐蚀掉,但不损伤微结构件,然后得到上层薄膜结构(空腔或微结构件)。由于被去掉的下层薄膜只起分离层作用,故称其为牺牲层(sacrificial 1ayer,厚度约1-2μm)。常用的结构材料有多晶硅、单晶硅、氮化硅、氧化硅和金属等,常用牺牲层材料主要有氧化硅、多晶硅、光刻胶。利用牺牲层可制造出多种活动的微结构,如微型桥、悬臂梁及悬臂块等,此外常被用来制作敏感元件和执行元件,如谐振式微型压力传感器、谐振式微型陀螺、微型加速度计及微型马达、各种制动器等。


如果您认为本词条还有待完善,需要补充新内容或修改错误内容,请编辑词条     查看历史版本

开放分类
仪器    制程    被动元件    

参考资料

贡献者
sdjntl    


本词条在以下词条中被提及:

关于本词条的评论共:(0条)
匿名不能发帖!请先 [ 登陆 ]