索阅 100例 首 页| 资 讯| 下 载| 论 坛| 博 客| Webinar| 高 校| 专 刊| 会展| EETV| 百科| 问答| 电路图| 工程师手册| Datasheet

EEPW首页 > 百科 > 二次击穿

二次击穿


贡献者:gsfei2009    浏览:1667次    创建时间:2009-06-22

二次击穿  
对于集电极电压超过V(BR)CEO而引起的击穿,只要外电路限制击穿后的电流,管子就不会损坏,待集电极电压减小到小于V(BR)CEO后,管子也就恢复到正常工作,因此这种击穿是可逆的,不是破坏性的。如果上述击穿后,电流不加限制,就会出现集电极电压迅速减小,集电极电流迅速增大的现象,通常将这种现象称为二次击穿。
  产生二次击穿的原因主要是管内结面不均匀、晶格缺陷等。发生二次击穿的过程是:结面某些薄弱点上电流密度增大,引起这些局部点的温度升高,从而使局部点上电流密度更大,温度更高……,如此反复作用,最后导致过热点的晶体熔化,相应在集射极间形成低阻通道,导致vCE下降,iC剧增,结果是功率管尚未发烫就已损坏。因此二次击穿是不可逆的,是破坏性的。可见,二次击穿是在高压低电流时发生的,相应的功率称为二次击穿耐量,用PSB表示。



如果您认为本词条还有待完善,需要补充新内容或修改错误内容,请编辑词条     查看历史版本

开放分类
模拟    

参考资料

贡献者
gsfei2009    


本词条在以下词条中被提及:

关于本词条的评论共:(0条)
匿名不能发帖!请先 [ 登陆 ]