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> 堆叠硅片互联技术
堆叠硅片互联技术
贡献者:
论坛管理员
浏览:2908次 创建时间:2010-10-28
该技术采用无源芯片中介层、微凸块和硅通孔 (TSV)技术,实现了多芯片可编程平台。对于那些需要高密度晶体管和逻辑、以及需要极大的处理能力和带宽性能的市场应用而言,这些28nm平台和单芯片方法相比,将提供更大的容量,更丰富的资源,并显著降低功耗。
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