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碲锡铅
lead tin telluride
分子式:Pbl-xSnxTe 0≤x≤1
三元固溶半导体材料。
为碲化铅和碲化锡的连续固溶体,氯化钠型结构,为直接带隙半导体。变换x值,可使其带隙由0变到0.22eV,非掺杂晶体如富金属则呈n型,富碲则呈p型,在碲化铅衬底上采用气相外延、分子束外延等方法制取。
主要用于制作红外激光器和探测器。
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材料
半导体
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贡献者
sylar
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