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开放分类包含“材料学”的词条:

薄膜 2009-06-05 sylar
báomó [thin film;film] 一种薄而软的透明薄片。用塑料、胶粘剂、橡胶或其他材料制成。科学上的解释为:由原子,分子或离子沉积再基片表面形成的2维材料 例:光学薄膜、复合薄膜、超导薄膜、聚酯薄膜、尼龙薄膜、塑料薄膜等等。 广泛用于电子电器,机械,印刷等行业,
聚酞菁络合物 2009-06-03 sylar
polyphthalocyanine complex 含有酞菁结构单元的高分子络合物。 一般有如下四种类型: (1)由酞菁络合物为重复单元互相连接而成的线型(一维)或平面型(二维)聚合物; (2)由酞菁中心金属原子互相连接而成的柱型聚合物; (3)由酞菁络合物作为配位体共价键合到高分子主链上的接枝型聚合物; (4)由带电酞菁络合物和带相反电荷的高分子通过静电间的相互作用而形成的聚合物
碲化铊 2009-06-03 sylar
碲化铊 thallium telluride 分子式:Tl2Te 性质:黑色结晶粉末,四方晶系结构。密度8.43g/cm3,不太稳定。室温易分解。导电率随温度升高而增加。不溶于水。密闭容器中由碲和铊反应制取。为半导体材料。
硒化铊 2009-06-03 sylar
硒化铊 thallium selenide 分子式:TlSe 性质:暗紫色结晶物。有金属光泽。熔点8.2g/cm3。质软。四方晶系结构。具有光导电性。由等摩尔的铊和硒直接反应制取,为半导体材料。
磷化镓外延片 2009-06-03 sylar
GaP epitaxial wafer[1] 在磷化镓衬底上用液相外延或气相外延法生长的磷化镓单晶薄层材料。 是目前工业生产规模最大的化合物半导体发光二极管外延材料。 生产方式大多为冷却法,操作方法有双箱法、浸渍法、滑动舟法等,设备容量一般为20~30片欲。 采用垂直衬底架可达200片/次。
硒化锡 2009-06-03 sylar
tin selenide CAS号:1315-06-6 分子式:SeSn 分子量:197.67 钢灰色晶体物质,菱形晶结构。密度6.18g/cm3。熔点861℃。真空中于650~700℃挥发,可溶于碱金属硫化物和硒化物中,易溶于硝酸和王水中。 由硒和锡直接反应或锡盐和硒化氢作用制取。 为半导体材料。
外延气体 2009-06-03 sylar
epitaxial gases 气体工业名词,半导体工业中在仔细选择的衬底上采用化学气相淀积(CVD)的方法生长一层或多层材料所用气体称为外延气体。硅外延气体有4种,即硅烷,二氯二氢硅,三氯氢硅和四氯化硅,主要用于外延硅淀积,多晶硅淀积,淀积氧化硅膜,淀积氮化硅膜,太阳能电池和其他光感受器的非晶硅膜淀积。外延生长是一种单晶材料淀积并生长在衬底表面上的过程。此外延层的电阻率往往与衬底不同。[1]
砷化镓外延片 2009-06-03 sylar
GaAs epitaxial wafer[1] 在特定晶向[(100)或(100)偏向最近<110>2 ~5 的晶面]砷化镓衬底上外延生长的单晶薄层材料外延工艺有LPE、VPE、MOCVD、MBE、CBE、ALE等。 工业选择取决于器件结构等因素,一般LPE、VPE多用于商品化器件,如光探测器、霍尔器件等。MBE、CBE、ALE多用于量子阱超晶格材料。MOCVD两方面兼而有之。
碲锡铅 2009-06-03 sylar
lead tin telluride 分子式:Pbl-xSnxTe 0≤x≤1 三元固溶半导体材料。 为碲化铅和碲化锡的连续固溶体,氯化钠型结构,为直接带隙半导体。变换x值,可使其带隙由0变到0.22eV,非掺杂晶体如富金属则呈n型,富碲则呈p型,在碲化铅衬底上采用气相外延、分子束外延等方法制取。 主要用于制作红外激光器和探测器。
玻璃半导体 2009-06-03 sylar
玻璃半导体是指由无机氧化物(如二氧化硅和氧化硼)和过渡金属离子(如铁、铜、钼、钒和铬等)组成的氧化玻璃半导体和非氧化物(如硫、硒、磷、碲、硅和锗等元素中的某几种元素组成)玻璃半导体。 大致可分为三类: (1)以IV族元素为主要成分的非晶半导体,如非晶硅,锗等; (2)以VI族元素为主要成分的半导体,如碲-锗共熔体,硫砷,硒砷等; (3)氧化物玻璃半导体[1],如V2O5-P2O5,V2O5