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开放分类包含“功耗”的词条:

650V IGBT 2015-03-05 janesun6
英飞凌科技发布的能够让应用于汽车中的高速开关实现最高效率的高坚固性650V IGBT系列。该系列TRENCHSTOP?5 AUTO IGBT符合AEC-Q 标准,可降低诸如车载充电、功率因数校正(PFC)、直流/直流和直流/交流转换等电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)应用的功率损耗并提高其可靠性。 全新IGBT系列阻断电压比前代汽车级IGBT高50V,此外,得益于英飞凌TRENCHS
da14580 2015-02-12 valley001
白雪峰 13602504660[键入文字] 天好智能 [键入文字] DA14580 简单介绍 芯片名称 DA14580 内核 Cortex-M0 系统时钟 16MHZ 睡眠时钟 32K 协议栈 不开源 采用 Riviera Waves 授权协议栈 IP Ram 42 kB System SRAM(存放运行数据) 8 kB RetentionSRAM
Qobuz Connect 2015-01-04 janesun6
单片机、混合信号、模拟器件和闪存专利解决方案的供应商——Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)宣布Microchip JukeBlox?平台添加Qobuz Connect连接支持。凭借这一联合解决方案,高清品质与真正CD音质的音频可直接传输至无线音箱及AV接收器,为用户带来美妙愉悦的音乐聆听体验。 作为Qobuz Connect的一大特色,一旦曲目选定,音频流
Edison 2014-09-03 janesun6
基于夸克,英特尔推出了初代Edison平台,采用了两颗夸克,可以同时支持低功耗蓝牙和低功耗WiFi,由于支持WiFi使可穿戴设备或物联网的设备直接连接互联网云端,而不需要通过智能手机来传递,更加灵活和独立。在正常模式下,它最高功率大概只有1W;低功耗模式下更低,可以做到250mW甚至低的更多。
65nm 2014-08-05 janesun6
半导体制造工艺,指集成电路内电路与电路间的距离。在处理器领域,制造工艺可以看作是处理器核心中每一个晶体管的大小。早期制作工艺采用微米作为单位,随着近两年工艺技术的进步,包括处理器、内存、显卡等芯片的制作工艺已经全面采用更小的纳米单位,而65nm工艺是处理器领域中先进的制造工艺。 在生产中一般采用的生产方式是光刻,光刻是在掩模板上进行的,宏观上讲,只要提高掩模板的分辨律就能刻出更多MOS管了,
LED背光驱动器 2014-07-10 janesun6
led是流性元件,也就是用电流来控制功率的,工作电压波动范围很小,都在3-4V之间,所以驱动led需要恒流驱动电路来实现,可以保证稳定的输出,达到需要的效果。 led背光源首先要保证稳定的亮度输出,而且背光的亮度是可调的,所以也要有调节的电路设计,所以驱动还是比较复杂的,对驱动器件的要求也不同。 通常,对LED背光驱动电路要求是: 1. 满足背光的亮度要求; 2. 整
高效电机 2014-04-14 五星电机
目录·高效电机简介·高效电机的发展历史·高效电动机在全球的政策及推广情况·高效电机发展前景 ·高效电机简介Top 高效电机(High Efficiency Motor)是指效率较高的电机,其效率应该满足相关的能效等级要求。超高效率电机采用了高导磁低损耗冷轧无取向硅钢片,具有超高效,节能,低振动,低噪音,性能可靠,安装维护方便等特点。可用于压缩机,风机,水泵,破碎机等机械设备,及在石油,化
地热 2012-06-18 XXLL
中文名称:地热 英文名称:geotherm . 地热是来自地球内部的一种能量资源。地球上火山喷出的熔岩温度高达1200℃~1300℃,天然温泉的温度大多在60 ℃以上,有的甚至高达100 ℃~140 ℃。这说明地球是一个庞大的热库,蕴藏着巨大的热能。这种热量渗出地表,于是就有了地热。地热能是一种清洁能源,是可再生能源,其开发前景十分广阔。
PowerPAIR 2012-05-27 tsjxjwk
MOSFET的双片功率封装,因为这种封装能够实现比传统表面贴装更高的可能最大电流和更好的热性能。通过使用功率封装的基本形式,将两个单独的芯片组装在一个封装内,这种器件能够减小电源电路所需的占位空间。
cloverview 2011-05-04 fellow
英特尔开发的下一代平板电脑芯片,是英特尔使其凌动处理器更节能的战略的一部分。 英特尔在北京举行的英特尔开发商论坛会议上提到了这个芯片的名称。英特尔上网本和平板电脑部门总经理道格.戴维斯(Doug Davis)称,这种芯片将采用32纳米工艺制造,从而减少耗电量。