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云汉芯城
2023-11-20
云汉芯城IC
- 云汉芯城（www.ickey.cn）是电子制造业一站式供应链服务商，重点面向中小微电子制造企业提供产品技术方案开发、电子元器件采购、PCBA生产制造等一站式全流程供应链数字化服务。平台接入超2000多家优质供应商，汇集17000个主流厂牌，电子元器件SPU数超4000万。服务企业客户超12万家，覆盖汽车电子、医疗电子、新能源与电力、工业控制、物联网等多个领域。自建近20000平米的智能仓储空间，实
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NOR闪存
2019-08-15
lmq329778570
- flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。
由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是
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3D存储芯片
2015-11-23
不爱吃窝瓜
- 目录
1 简介
2 电子旋转
3 研发历程
4 应用与用途
简介
英国剑桥大学的科学家开发出一种新型3D存储芯片。普通的存储芯片多为平面结构，数据只能前后左右移动，而这种3D存储芯片可实现数据在三维空间中的存储和传递，将大幅提高存储设备的存储能力。
电子旋转
剑桥大学的科学家使用了一种被称为自旋电子芯片的微芯片，即电子功能基于引起磁性的电子旋转，而不是传统微芯片使用的电荷。
研发
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EPCS16SI16N
2015-11-18
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- 目录
1 说明
2 基本参数
3 特点
说明
EPCS16SI16N与以SRAM为基础的设备支持主动串行配置，配置数据，每次都必须重新加载设备权力，系统的重新配置，或当新的配置数据是必需的。串行配置器件是快闪记忆体带有串行接口的设备，可以存储FPGA器件的配置数据，支持主动串行配置和重新上电时的数据到设备或重新配置。
基本参数
工作温度：-40°C ~ 85°C
封装/外壳：16-
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存储数据
2015-11-17
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- 硬盘存储原理
硬盘是一种采用磁介质的数据存储设备，数据存储在密封于洁净的硬盘驱动器内腔的若干个磁盘片上。这些盘片一般是在以铝为主要成分的片基表面涂上磁性介质所形成，在磁盘片的每一面上，以转动轴为轴心、以一定的磁密度为间隔的若干个同心圆就被划分成磁道（track），每个磁道又被划分为若干个扇区（sector），数据就按扇区存放在硬盘上。在每一面上都相应地有一个读写磁头（head），所以不同磁头的所
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预充电时间
2015-11-16
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- CAL潜伏期 (CAS Latency)：通常简称CL,指从CAS与读取命令发出到第一笔数据输出这段时间。例如CL=3，表示计算机系统自主存储器读取第一笔资料时，所需的准备时间为3个外部时脉 (System clock)。CL2与CL3的差异仅在第一次读取资料所需准备时间，相差一个时脉，对整个系统的效能并无显著影响。
在发出预充电命令后，要经过一段时间才允许发送RAS行有效命令打开新的工作行，这
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非易失性存贮
2015-11-16
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- 非易失性存储（NVS，nonvolatile storage，non-volatile storage）也称为非易失性存储器或非易失性随机存取存储器（NVRAM），是静态随机存取存储器的一种形式。
非易失性存贮（NVS，nonvolatile storage，non-volatile storage）也称为非易失性存储器或非易失性随机存取存储器（NVRAM），是静态随机存取存储器的一种形式，当计
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非易失性RAM
2015-11-16
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- 非易失性RAM(Nonvolatile RAM)是可读可写的存储器，在系统重新启动或关机之后仍能保存数据。由于NVRAM仅用于保存启动配置文件（Startup-Config），故其容量较小，通常在路由器上只配置32KB~128KB大小的NVRAM。
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超融合系统
2015-11-04
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- 目录
1 七个超融合存储系统选择标准
超融合包含存储管理软件和商用硬件，通常应用虚拟存储设备。它采用以VM为中心的策略将存储管理、数据保护和网络集成到一个盒子。
七个超融合存储系统选择标准
硬件依赖性
多节点架构
可管理性
硬件使用效率
DRAM支持
总体的“适合程度”
可用性
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IP存储
2015-11-03
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- 目录
1 简介
2 IP存储技术概览
3 发展
? 存储隧道技术
? 本地IP存储技术
简介
IP存储（IP storage）是在存储区域网络（SAN），通常是Gigabit以太网使用IP的几个途径的一个总括。IP存储是传统的光纤通道结构的替代者。IP基础存储的支持者们声称它比光纤通道具有更多的优势，当它们被最初引进时，预示着促进SANs的广泛分布采用。另一个SANs在20世纪90年
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