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多闸极晶体管
2015-11-24
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1 工业需求
? 挑战
2 变形
? 平面双闸极晶体管
? Flexfet
? FinFET
? 三闸极晶体管(Tri-gate)
? Gate-all-around (GAA) FETs
3 简略模型
工业需求
平面晶体管主导了整个半导体工业已经好长一段时间。随着尺寸愈做愈小，出现了短通道效应，特别是漏电流，这类使得元件耗电的因素。
多闸极晶体管的载子通道受到接触各
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Tri-Gate
2015-11-24
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1 3D三维晶体管
3D三维晶体管
世界上第一个3-D三维晶体管“Tri-Gate”由Intel于2011年5月6日宣布 3D三维晶体管
研制成功，这项技术被称为“年度最重要技术”，3-D Tri-Gate三维晶体管相比于32nm平面晶体管可带来最多37%的性能提升，而且同等性能下的功耗减少一半，这意味着它们更加适合用于小型掌上设备。
Intel于2011年5月6日宣布了所谓的“年
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ivb处理器
2015-11-24
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1 IVB（ivy bridge）
2 解析
3 总结
IVB（ivy bridge）
2012年IDF英特尔22nm 3D晶体管技术首次与大家见面，与32nm平面晶体管相比，采用22nm 3D晶体管的CPU可最多带来37%的性能提升，在相同性能的情况下电路能耗减少50%，最重要的是这项技术已经用在代号为英特尔下一代酷睿处理器Ivy Bridge当中。
作为英特尔Tick-Toc
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量子器件
2015-11-23
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1 简介
2 产品
简介
据新出版的英国《自然》杂志载文报道，美国科学家在量子计算机研究方面获得重大的进展，这使得人们向往已久的量子计算机。又向我们靠近了一大步，使科学家们对利用量子研究领域的新技术研制出超级计算机充满了信心。美国科学家宣布，他们已经实现了4量子位逻辑门，取得了4个锂离子的量子缠结状态，此举使21世纪量子计算机的研制取得了重大突破。
今年7月4日，德国慕尼黑技术大学
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晶体管(电子元件)
2015-11-17
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1 定义
2 简述
3 历史
4 晶体管的发展
5 里程碑
6 优越性
? 构件没有消耗
? 消耗电能极少
? 不需预热
? 结实可靠
7 重要性
8 分类
? 材料
? 工艺
? 电流容量
? 工作频率
? 封装结构
? 按功能和用途
9 种类
? 半导体三极管
? 电力晶体管
? 光晶体管
? 双极晶体管
? 双极结型
? 场效应晶体管
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功率半导体
2015-11-04
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- 《功率半导体 器件 与应用》基于前两章的半导体物理基础，详细介绍了目前最主要的几类功率半导体器件，包括pin二极管、晶闸管、门极关断晶闸管、门极换流晶闸管、功率场效应晶体管和绝缘栅双极型晶体管。
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功率集成电路
2015-11-04
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- 采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构；其中所有元件在结构上已组成一个整体，这样，整个电路的体积大大缩小，且引出线和焊接点的数目也大为减少，从而使电子元件向着微小型化、低功耗和高可靠性方面迈进了一大步。集成电路具有体积小，重量轻，引出线和焊接点少，寿命长
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硅晶
2015-11-04
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- 有多晶硅和单晶硅。单晶硅具有基本完整的点阵结构的晶体。不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料。纯度要求达到99.9999%，甚至达到99.9999999%以上。用于制造半导体器件、太阳能电池等。用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成。多晶硅，是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多
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3D三维晶体管
2015-11-04
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1 简介
2 特点
3 优势
4 发展历程
简介
世界上第一个3-D三维晶体管“Tri-Gate”由Intel于2011年5月6日宣布
研制成功，这项技术被称为“年度最重要技术”，3-D Tri-Gate三维晶体管相比于32nm平面晶体管可带来最多37%的性能提升，而且同等性能下的功耗减少一半，这意味着它们更加适合用于小型掌上设备。
特点
3-D Tri-Gate使用一个薄
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晶体管图示仪
2015-11-03
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- 晶体管特性图示仪是一种能对晶体管的特性参数进行测试的仪器。荧光屏的刻度可以直接观测半导体管的共集电极，共基板和共发射极的输入特性，输出特征，转换特征，β参数以及α参数等，并可根据需要，测量半导体管的其他各项极限特性与击穿特性参数。
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