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微晶半导体
2009-06-03
sylar
- microcrystalline semiconductor[1]
具有半导体性质的微晶相和无定形相的复相结构薄膜组成的半导体材料。
材料的平均大小在数纳米至数十纳米之间。
微晶半导体中有一类特别的材料叫微晶硅(μc-Si)。
通常用气相沉积法、磁控溅射法、非晶硅热处理法制备，在太阳能电池、传感器和集成电路等领域内应用。
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晶格缺陷
2009-05-26
sylar
- 晶格缺陷【crystal defects】
在实际的晶体中，由于晶体形成条件、原子的热运动及其它条件的影响，原子的排列不可能那样完整和规则，往往存在偏离了理想晶体结构的区域。这些与完整周期性点阵结构的偏离就是晶体中的缺陷，它破坏了晶体的对称性。
缺陷对晶体的物理性质具有极其重要的影响，可分为面缺陷、线缺陷和点缺陷三种。其中晶粒间界、堆垛层错和孪晶间界属于面缺陷，晶粒间界指多晶体中晶粒之间的交界
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