索阅 100例 首 页| 资 讯| 下 载| 论 坛| 博 客| Webinar| 高 校| 专 刊| 会展| EETV| 百科| 问答| 电路图| 工程师手册| Datasheet

EEPW首页 > 百科 > 晶格缺陷

晶格缺陷


贡献者:sylar    浏览:2505次    创建时间:2009-05-26

  晶格缺陷【crystal defects】
  在实际的晶体中,由于晶体形成条件、原子的热运动及其它条件的影响,原子的排列不可能那样完整和规则,往往存在偏离了理想晶体结构的区域。这些与完整周期性点阵结构的偏离就是晶体中的缺陷,它破坏了晶体的对称性。
  缺陷对晶体的物理性质具有极其重要的影响,可分为面缺陷、线缺陷和点缺陷三种。其中晶粒间界、堆垛层错和孪晶间界属于面缺陷,晶粒间界指多晶体中晶粒之间的交界面。堆垛层错是指晶体中原子面的堆垛顺序出现反常而造成的缺陷,它只影响层错面附近晶体结构,并不影响其他区域的原子层堆垛顺序。孪晶是指晶体中相毗邻的两部分互为镜像。线缺陷主要是指位错,位错的存在对晶体的力学性质机翼各种物理性质都有影响。除了三种缺陷外,晶体中还存在很多其他缺陷,如在对无位错单晶研究中发现晶体中存在微缺陷,在制作无位错硅单晶中发现了密度很大且线度很小的缺陷群。


如果您认为本词条还有待完善,需要补充新内容或修改错误内容,请编辑词条     查看历史版本

开放分类
微电子    材料学    晶体学    

参考资料
http://baike.baidu.com/view/897414.html?fromTaglist

贡献者
sylar    


本词条在以下词条中被提及:

关于本词条的评论共:(0条)
匿名不能发帖!请先 [ 登陆 ]