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串行闪存
2011-04-03
carlhzy
- 目录
认识串行闪存
串行闪存的最佳应用
串行闪存应用类别及实例
编辑本段认识串行闪存
[串行闪存与并行闪存的区别]
串行闪存与并行闪存的区别
随着消费者追捧更小,更薄,更便宜的产品,嵌入式系统设计工程师在寻找空间效益和成本效益都较高的闪存时面临的压力比以住任何时候都大.幸好,串行闪存为他们提供了所需的解决方案. 串行闪存是一种尺寸和功耗都
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断相保护
2009-07-03
gsfei2009
- 断相保护
open-phase protection
依靠多相电路的一相导线中电流的消失而断开被保护设备或依靠多相系统的的一相或几相失压来防止将电源施加到被保护设备上的一种保护方式。
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中性点非有效接地系统
2009-07-03
gsfei2009
- 中性点非有效接地系统-词条解释
中性点非有效接地系统
system with non-effectively earthed neutral
中性点不接地，或经高值阻抗接地或谐振接地的系统。通常本系统的零序电抗与正序电抗的比值大于3，X0/X1＞ 3，零序电阻与正序电抗的比值
大于1，R0/X1＞1.
本系统也可称为小接地电流系统。
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非重复峰值脉冲电流
2009-07-03
gsfei2009
- 施加时不会损坏过电压保护装置的特定波幅和波形的峰值脉冲电流的额定最大值。
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集成注入逻辑电路
2009-07-03
gsfei2009
- 集成注入逻辑电路-正文 在NPN晶体管的基极接有PNP晶体管作为恒流源，采用公共发射区,集成多个NPN晶体管倒相器的基本门电路，简称I2L电路。将这类基本门电路前后串接起来,经过适当组合,即可实现各种逻辑功能。在前后串接组合时,本级恒流源电流既可作为前级的负载电流，又可作为本级基极注入电流，这取决于前级门的状态是通导还是截止。
I2L电路是70年代初发展起来的一种高集成密度、双极型逻辑电
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内电磁脉冲
2009-07-03
gsfei2009
- 内电磁脉冲正文
核爆炸(或模拟设备)释放出来的γ射线具有很强的穿透性，当它们穿透各种车、船、飞行体、建筑物等系统外壁时，在其内部激励的瞬发电磁辐射称为内电磁脉冲。内电磁脉冲可对系统内部的电子设备构成威胁，破坏某些元件、器件，或对其正常工作造成干扰。
内电磁脉冲研究的主要问题是:①由于γ或X射线与物质相互作用产生的初级电子及其形成的初级电流；②初级电子与物质相互作用产生的次级电子，以及
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肖脱基势垒
2009-07-03
gsfei2009
- 金属和半导体相接触时在半导体内形成的势垒。图1示意地画出了金属和 N型半导体之间形成的肖脱基势垒。最初认为肖脱基势垒起因于金属和半导体具有不同的功函数，它们相接触时产生的接触电势差；近年来的实验表明，半导体表面态对势垒的形成有极重要的影响。
利用金属半导体接触制作的检波器很早就应用于电工和无线电技术之中，如何解释金属半导体接触时表现出的整流特性，在20世纪30年代吸引了不少物理学家的注意。
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电迁移效应
2009-07-03
gsfei2009
- 电迁移效应-基本概念
电迁移是金属线在电流和温度作用下产生的金属迁移现象，它可能使金属线断裂，从而影响芯片的正常工作。电迁移在高电流密度和高频率变化的连线上比较容易产生，如电源、时钟线等。为了避免电迁移效应，可以增加连线的宽度，以保证通过连线的电流密度小于一个确定的值。
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地空电流
2009-07-03
gsfei2009
- 地空电流-正文
在大气电场作用下，大气中的正离子向下移动，负离子向上移动而形成的一股较稳定的电流。晴天地空电流密度几乎不随高度变化,约为(2～4)×10-16安/厘米2，据此求得全球的总地空电流约为1800安。
根据欧姆定律,气体中的传导电流密度为J =σE, 这里E 是大气电场强度，σ 是大气电导率。由于大气中电流密度J 基本恒定，所以E 和σ 几乎成反比。
晴天
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弧后电流
2009-07-03
gsfei2009
- 电流是指电荷的定向移动。
电流的大小称为电流强度（简称电流，符号为I），是指单位时间内通过导线某一截面的电荷量，每秒通过一库仑的电量称为一「安培」（A）。安培是国际单位制中所有电性的基本单位。
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