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交流静止开关
2009-07-03
gsfei2009
- 控制交流功率通断用的晶闸管开关电路。几种单相交流静止开关结构如图1所示。
图1a使用晶闸管虽少，但要求晶闸管的关断时间较短。这种电路中晶闸管的触发均可以采用触发电路（图2）。图中触点开关K合上时,仅流过毫安级的触发电流,而它使T1、T2导通,接通了交流负载电流。此种触发电路虽然简单，但它毕竟又使用了有触点开关。采用触发脉冲可免除这一缺陷。但要注意的是在感性负载时，因电流的滞后作用，即使电压
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磁敏晶体管
2009-07-03
gsfei2009
- 具有双极型长基区晶体管结构的磁电转换器件。磁敏晶体管又称磁敏三极管或磁三极管，是70年代发展起来的新型半导体磁电转换器件，主要用于磁检测、无触点开关和近接开关等。图1为用高阻半导体制成的锗NPN型和硅PNP型磁敏晶体管。在锗磁敏晶体管的发射极e一侧用喷砂方法损伤一层晶格,设置载流子复合速率很大的高复合区r,而在硅磁敏晶体管中未设置高复合区。锗磁敏晶体管具有板条状结构，集电区和发射区分别设置在板条的
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无溶丝开关
2009-07-03
gsfei2009
- 这是一个电流保护装置，亦即当电流超过无溶丝开关 (Breaker ：一般家庭称之为保险丝开关或断路器 ) 的额定值时， Breaker 随即跳脱。
无溶丝开关-用途
假如超过 Breaker 的额定值，会造成建筑物内的线路或是电子设备线路过热而引起火灾，因此，选择保险丝或是无溶丝开关，都必须同规格产品或是符合国际电气规格产品，避免设备故障和人为疏失造成的过电流。
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可控闸流管
2009-07-03
gsfei2009
- 以硅单晶为基本材料的、具有三个PN结的四层结构硅芯片和三个电极组成的半导体可控整流器(图1)，简称可控硅。
三个电极分别称为阳极A、阴极 K和控制极G。器件的阳极和阴极间的基本电流-电压特性如图2。加反向（阳极接负）偏压时,可控闸流管特性和PN结二极管的反向特性相似。当加正向（阳极接正）偏压时，在一定电压范围内，可控闸流管处于阻抗很高的关闭状态（正向阻断）。当正向电压大于转折电压（转折点1
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逆功率继电器
2009-07-03
gsfei2009
- 逆功率继电器-相关资料
在并联机组中，反方向电流（例如流回发电机组的电流）会启动逆功率继电器，把该机组与系统断开。如果一台发电机组没有运转，并且没有逆功率继电器保护，运转的机组就会驱动这个机组，这台机组上的发电机则变成电动机运行。
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热线继电器
2009-07-03
gsfei2009
- 热线继电器是一种冶金的专业术语。
继电器（relay）的工作原理和特性
当输入量(如电压、电流、温度等)达到规定值时，使被控制的输出电路导通或断开的电器。可分为电气量(如电流、电压、频率、功率等)继电器及非电气量(如温度、压力、速度等)继电器两大类。具有动作快、工作稳定、使用寿命长、体积小等优点。广泛应用于电力保护、自动化、运动、遥控、测量和通信等装置中。
继电器是一种电子控制器件，它具
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CCD
2009-07-03
gsfei2009
- CCD-CCD简介
Charge Coupled Device （CCD） 电荷耦合器件。CCD是一种半导体装置，能够把光学影像转化为数字信号。 CCD上植入的微小光敏物质称作像素（Pixel）。一块CCD上包含的像素数越多，其提供的画面分辨率也就越高。CCD的作用就像胶片一样，但它是把图像像素转换成数字信号。CCD在摄像机、数码相机和扫描仪中应用广泛，只不过摄像机中使用的是点阵CCD，
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谐振式变压器
2009-07-03
gsfei2009
- 谐振式变压器-介绍
谐振式变压器
权利要求书1、一种用于谐振式不对称半桥开关变换器的变压器，包括变压器骨架(1)，其特征在于，在变压器骨架(1)上配置磁芯(2)，，磁芯(2)的两边分别用铜线绕制变压器的原边(3)和副边(4)。随着国内电力系统不断增大和日益广泛的联网，需要研制开发更大型的高压大电流断路器，而在开关试验室直接进行产品的强电流冲击试验，是开发这种产品的必要手段。试验
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神经芯片
2009-06-26
gsfei2009
- 神经芯片-最新成果 将活的生物体和机器融为一体一直是科学家们的梦想，现在，欧洲的研究人员已经研制出一种“神经芯片”，在这种芯片上，活的脑细胞和硅电路可以有机地连在一起。
神经芯片-意义
这项研究可能有助于将来某一天开发出先进的神经修复技术，用于治疗神经失调或开发通过活的神经细胞处理数据的有机电脑。为研制出这样的神经芯片，研究人员在1平方毫米大小的硅片上安装了16000个电子
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CPU制造工艺
2009-06-26
gsfei2009
- CPU制造工艺-简介 指在硅材料上生产CPU时内部各元器材的连接线宽度，一般用微米表示。微米值越小制作工艺越先进，CPU可以达到的频率越高，集成的晶体管就可以更多。 CPU制造工艺-备注
目前Intel的P4和AMD的XP都已经达到了0.13微米的制造工艺，明年将达到0.09微米的制作工艺。
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