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开放分类包含“IC设计”的词条:

云汉芯城 2023-11-20 云汉芯城IC
云汉芯城(www.ickey.cn)是电子制造业一站式供应链服务商,重点面向中小微电子制造企业提供产品技术方案开发、电子元器件采购、PCBA生产制造等一站式全流程供应链数字化服务。平台接入超2000多家优质供应商,汇集17000个主流厂牌,电子元器件SPU数超4000万。服务企业客户超12万家,覆盖汽车电子、医疗电子、新能源与电力、工业控制、物联网等多个领域。自建近20000平米的智能仓储空间,实
GAAFET 2022-08-24 ZongYu
GAAFET是(Gate-all-around FETs)采用的是纳米线沟道设计,沟道整个外轮廓都被栅极完全包裹,代表栅极对沟道的控制性更好。相比之下,传统的FinFET 沟道仅3 面被栅极包围。GAAFET 架构的晶体管提供比FinFET 更好的静电特性,可满足某些栅极宽度的需求。这主要表现在同等尺寸结构下,GAA 的沟道控制能力强化,尺寸可以进一步微缩。
up9614规格书 2017-02-16 QQ1540182856
P9614PDF规格说明书 UP9614设计资料 UP9616功能|参数|特性 UP9616样品样片 UP9616价格 up9614是一种高效、单一的同步降压适用于低输出电压点的变流器笔记型电脑及类似数位应用消费应用。rcottm的专有技术提供快速瞬态响应和高抗噪性。它支持陶瓷输出电容。这个优势控制方案是,它不需要外部相补偿网络,帮助设计师轻松自如—使用和实现低外部元件计数配置。这种组合
AUIRB24427S 2014-09-03 janesun6
功率半导体和管理方案领导厂商 –国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出车用大电流双低侧驱动IC AUIRB24427S,适合混合动力电动汽车 (HEV) 、电动车 (EV) 和大功率工业转换器中的开关电源 (SMPS) 应用。 AUIRB24427S在整个温度范围内为每个通道提供超过6A的高输出电流,用于驱动采用模块和分立封装的大尺寸IGBT和M
65nm 2014-08-05 janesun6
半导体制造工艺,指集成电路内电路与电路间的距离。在处理器领域,制造工艺可以看作是处理器核心中每一个晶体管的大小。早期制作工艺采用微米作为单位,随着近两年工艺技术的进步,包括处理器、内存、显卡等芯片的制作工艺已经全面采用更小的纳米单位,而65nm工艺是处理器领域中先进的制造工艺。 在生产中一般采用的生产方式是光刻,光刻是在掩模板上进行的,宏观上讲,只要提高掩模板的分辨律就能刻出更多MOS管了,
3D-IC 2012-08-15 gengliang1024
3D IC产业链依制程可概略区分成3大技术主轴,分别是前段(Front-end)、中段(Middle-end)及后段(Backend)。前段制程涵盖芯片前段CMOS制程、晶圆穿孔、绝缘层(Isolation)、铜或钨电镀(Plating),由晶圆厂负责。为了日后芯片堆叠需求,TSV芯片必须经过晶圆研磨薄化(Wafer Thinning)、布线(RDL)、晶圆凸块等制程,称之为中段,可由晶圆厂或封测
PowerPAIR 2012-05-27 tsjxjwk
MOSFET的双片功率封装,因为这种封装能够实现比传统表面贴装更高的可能最大电流和更好的热性能。通过使用功率封装的基本形式,将两个单独的芯片组装在一个封装内,这种器件能够减小电源电路所需的占位空间。
DualCool NexFET 2011-05-10 fellow
TI公司的一项专利技术,DualCool? NexFET? 系列功率MOSFET 提供业界标准封装,同时可提高封装顶部和底部的散热效率。该封装使电源系统设计人员能够在大电流 DC/DC 应用中有效地消除 PCB 上的热量,从而实现更高的功率密度、电流量和系统可靠性。
HSIC 2011-05-04 fellow
高速集成电路(high speed integrated circuit)
Solarmagic 2011-04-22 fellow
美国国家半导体公司专门为太阳能系统研发的芯片组的名称。目的在于降低太阳能发电成本、提高效率。