EEPW首页 > 百科 > 砷化镓外延片
贡献者：sylar 浏览：1563次 创建时间：2009-06-03
-
GaAs epitaxial wafer[1]
在特定晶向[(100)或(100)偏向最近<110>2 ～5 的晶面]砷化镓衬底上外延生长的单晶薄层材料外延工艺有LPE、VPE、MOCVD、MBE、CBE、ALE等。
工业选择取决于器件结构等因素，一般LPE、VPE多用于商品化器件，如光探测器、霍尔器件等。MBE、CBE、ALE多用于量子阱超晶格材料。MOCVD两方面兼而有之。
开放分类
参考资料
http://baike.baidu.com/view/2222054.html?fromTaglist
贡献者
本词条在以下词条中被提及：
RSS订阅
