索阅 100例 首 页| 资 讯| 下 载| 论 坛| 博 客| Webinar| 高 校| 专 刊| 会展| EETV| 百科| 问答| 电路图| 工程师手册| Datasheet

基区宽度调变效应

  双极晶体管基区宽度调变效应(或称基区宽变效应),即基区有效宽度随外加电压变化而变化的现象。
  PN结空间空间电荷区的宽度由外加电压、杂志浓度等决定。当晶体管处于放大工作状态时,发射结处于正向偏置,集电结处于反向偏置,而且反偏电压VCB较高。随着反偏电压的升高,集电结空间电荷区宽度增加,使有效基区宽度减小,而当反偏电压降低,集电结空间电荷区宽度随之减小,导致有效基区宽度增加。则Ic变小。这种基区有效宽度随外加电压变化而变化的现象就称为基区宽度调变效应,也称厄尔利(Early)效应


如果您认为本词条还有待完善,需要补充新内容或修改错误内容,请编辑词条     查看历史版本
开放分类
半导体    集成电路    微电子    电子电路    微电子器件    

贡献者
sylar