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半导体激光
2015-11-19
不爱吃窝瓜
- 目录
1 半导体激光器
? 构造及材料
? 工作原理
? 特点
? 应用
2 工作原理及特点
半导体激光器
构造及材料
半导体激光器在基本构造上，它属于半导体的P-N接面，但激光二极管是以金属包层从两边夹住发光层（有源层），是“双异质结接合构造”。而且在激光二极管中，将界面作为发射镜（谐振腔）使用。在使用材料方面，有镓(Ga)、砷(As)、铟(In)、磷(P)等。此外在多量子阱型
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同轴电缆接头
2015-11-18
不爱吃窝瓜
- 同轴电缆接头（BNC）就是同轴电缆的接头
同轴电缆是由一根空心的外圆柱导体和一根位于中心轴线的内导线组成。内导线和圆柱导体及外界之间用绝缘材料隔开。根据传输频带的不同，同轴电缆可分为基带同轴电缆和宽带同轴电缆两种类型。
中文名 同轴电缆接头 外文名 BNC 解 释 同轴电缆的接头 类 型 基带同轴电缆和宽带同轴电缆
按直径的不同，同轴电缆可分为粗缆和细缆两种。 细缆近年来发展较快
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半导体技术
2015-11-17
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- 目录
1 概念
2 纳米技术
3 挑战
4 材料问题
5 重要性
6 快速发展
7 摩尔法则
概念
半导体技术就是以半导体为材料，制作成组件及集成电路的技术。在周期表里的元素，依照导电性大致可以分成导体、半导体与绝缘体三大类。最常见的半导体是硅（Si），当然半导体也可以是两种元素形成的化合物，例如砷化镓（GaAs），但化合物半导体大多应用在光电方面。
绝大多数的电子组件都是以硅
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海思半导体
2015-11-12
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- 目录
1 海思大事记
2 荣誉与贡献
3 芯片产品
? 移动处理器
4 竞争对手
海思大事记
2015年5月，华为海思宣布与高通共同完成 LTE Cat.11试验，最高下行速率可达600Mbps。[1]
2015年4月，海思发布麒麟935，主要搭载于华为P8高配版与荣耀7。[2]
2015年MWC，海思发布64位8核芯片——海思麒麟930，搭载于荣耀X2、华为P8（部分版本）。[
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功率半导体
2015-11-04
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- 《功率半导体 器件 与应用》基于前两章的半导体物理基础，详细介绍了目前最主要的几类功率半导体器件，包括pin二极管、晶闸管、门极关断晶闸管、门极换流晶闸管、功率场效应晶体管和绝缘栅双极型晶体管。
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蓝宝石衬底
2015-11-04
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- 目录
1 简介
2 蓝宝石
3 碳化硅
4 硅衬底
5 性能比较
6 材料评价
? 氮化镓
? 氧化锌
? 蓝宝石
? 碳化硅
简介
对于制作LED芯片来说，衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用哪种合适的衬底，需要根据设备和LED器件的要求进行选择。市面上一般有三种材料可作为衬底：
·蓝宝石（Al2O3）、硅（Si）、碳化硅（SiC）
蓝宝石
通常，GaN基材料和
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晶体管图示仪
2015-11-03
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- 晶体管特性图示仪是一种能对晶体管的特性参数进行测试的仪器。荧光屏的刻度可以直接观测半导体管的共集电极，共基板和共发射极的输入特性，输出特征，转换特征，β参数以及α参数等，并可根据需要，测量半导体管的其他各项极限特性与击穿特性参数。
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带状线
2015-10-30
不爱吃窝瓜
- 目录
1 定义
2 耦合带状线
定义
带状线是一条置于2个平行的地平面（或电源平面）之间的电介质之间的一根高频传输导线。一般来说，地平面与导线之间是绝缘介质。如果线的厚度和宽度、介质的介电常数以及两层导电平面间的距离是可控的，那么线的特性阻抗也是可控的。带状两边都有电源或者底层，因此阻抗容易控制，同时屏蔽较好，但是信号速度慢些。带状线的主模是TEM波，而微带线的主模是准TEM波。
带状线
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相变存储技术
2015-10-29
不爱吃窝瓜
- 相变存储器(OUM)
奥弗辛斯基(Stanford
Ovshinsky)在1968年发表了第一篇关于非晶体相变的论文，创立了非晶体半导体学。一年以后，他首次描述了基于相变理论的存储器：材料由非晶体状态变成晶体，再变回非晶体的过程中，其非晶体和晶体状态呈现不同的反光特性和电阻特性，因此可以利用非晶态和晶态分别代表“0”和“1”来存储数据。后来，人们将这一学说称为奥弗辛斯基电子效应。相变存储器是基
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2651A数字源表
2015-05-20
angelazhang
- 2651A数字源表
目录
1概述
2两种测量模式
3宽动态范围
4高速脉冲
5测试脚本开发工具
1概述
2651A型专门为高功率电子的特性分析而优化设计，提供业内可用的最宽电流量程。该量程对于研发、可靠性及生产测试应用至关重要，例如测试高亮度LED (HBLED)、功率半导体、DC-DC转换器、电池，以及其他高功率材料、元件、模块和组件。
2两种测量模式
2651A型可选择数字
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