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碲化铊
2009-06-03
sylar
- 碲化铊
thallium telluride
分子式：Tl2Te
性质：黑色结晶粉末，四方晶系结构。密度8.43g/cm3，不太稳定。室温易分解。导电率随温度升高而增加。不溶于水。密闭容器中由碲和铊反应制取。为半导体材料。
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硒化铊
2009-06-03
sylar
- 硒化铊
thallium selenide
分子式：TlSe
性质：暗紫色结晶物。有金属光泽。熔点8.2g/cm3。质软。四方晶系结构。具有光导电性。由等摩尔的铊和硒直接反应制取，为半导体材料。
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硒化亚铜
2009-06-03
sylar
- cuprous selenide
分子式： Cu2Se
性质：黑色立方晶体。相对密度6.749。熔点1113℃。溶于氰化钾溶液。溶于盐酸时逸出硒化氢。与硫酸作用时，发生二氧化硫气体。可被硝酸氧化为亚硒酸铜。由化学计量的铜和硒混合物在真空石英封管内加热而得或由铜盐和亚硒酸的氨溶液经水合肼还原制得。用作半导体。
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硒化铋
2009-06-03
sylar
- bismuth selenide
分子式：Bi2Se3
性质：黑色结晶体物质。斜方六面体晶结构。密度6.82g/cm3。熔点710℃。不溶于碱，易为浓酸、王水所分解。由硒和铋直接反应或氧化铋和硒化氢作用制取，为半导体材料和温差电材料。
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磷化镓外延片
2009-06-03
sylar
- GaP epitaxial wafer[1]
在磷化镓衬底上用液相外延或气相外延法生长的磷化镓单晶薄层材料。
是目前工业生产规模最大的化合物半导体发光二极管外延材料。
生产方式大多为冷却法，操作方法有双箱法、浸渍法、滑动舟法等，设备容量一般为20～30片欲。
采用垂直衬底架可达200片/次。
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外延气体
2009-06-03
sylar
- epitaxial gases
气体工业名词，半导体工业中在仔细选择的衬底上采用化学气相淀积(CVD)的方法生长一层或多层材料所用气体称为外延气体。硅外延气体有4种，即硅烷，二氯二氢硅，三氯氢硅和四氯化硅，主要用于外延硅淀积，多晶硅淀积，淀积氧化硅膜，淀积氮化硅膜，太阳能电池和其他光感受器的非晶硅膜淀积。外延生长是一种单晶材料淀积并生长在衬底表面上的过程。此外延层的电阻率往往与衬底不同。[1]
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砷化镓外延片
2009-06-03
sylar
- GaAs epitaxial wafer[1]
在特定晶向[(100)或(100)偏向最近<110>2 ～5 的晶面]砷化镓衬底上外延生长的单晶薄层材料外延工艺有LPE、VPE、MOCVD、MBE、CBE、ALE等。
工业选择取决于器件结构等因素，一般LPE、VPE多用于商品化器件，如光探测器、霍尔器件等。MBE、CBE、ALE多用于量子阱超晶格材料。MOCVD两方面兼而有之。
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玻璃半导体
2009-06-03
sylar
- 玻璃半导体是指由无机氧化物（如二氧化硅和氧化硼）和过渡金属离子（如铁、铜、钼、钒和铬等）组成的氧化玻璃半导体和非氧化物（如硫、硒、磷、碲、硅和锗等元素中的某几种元素组成）玻璃半导体。
大致可分为三类：
(1)以IV族元素为主要成分的非晶半导体，如非晶硅，锗等；
(2)以VI族元素为主要成分的半导体，如碲-锗共熔体，硫砷，硒砷等；
(3)氧化物玻璃半导体[1]，如V2O5-P2O5，V2O5
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微晶半导体
2009-06-03
sylar
- microcrystalline semiconductor[1]
具有半导体性质的微晶相和无定形相的复相结构薄膜组成的半导体材料。
材料的平均大小在数纳米至数十纳米之间。
微晶半导体中有一类特别的材料叫微晶硅(μc-Si)。
通常用气相沉积法、磁控溅射法、非晶硅热处理法制备，在太阳能电池、传感器和集成电路等领域内应用。
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元素半导体
2009-06-03
sylar
- element semiconductor[1]
具有半导体特性的元素，如硅、锗、硼、硒、碲、碳、碘等组成的材料。
其导电能力介乎导体和绝缘体之间。
一般电阻率在10-7～10-3之间。
主要采用直拉法、区熔法或外延法制备。
工业上应用最多的是硅、锗、硒。
用于制作各种晶体管、整流器、集成电路、太阳能电池等方面。
其他硼、碳(金刚石、石墨)、碲、碘及红磷、灰砷、灰锑、灰铅、硫也是半导
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