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硒化汞
2009-06-03
sylar
- mercury selenide；mercuric selenide
分子式：HgSe
性质：灰黑色正方晶体。有毒!相对密度8.266。在氮、二氧化碳气氛中或真空加热至约600℃时升华，升华物为紫黑色。导电率高，达3000Ω-1cm-1。为电子导电型物质。不溶于水，溶于硒氢酸铵溶液。由稀氯化汞溶液滴加于饱和硒化氢溶液中或由化学计量的汞和硒在封管内加热至550～600℃而得。是一种半导体材料。
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磷化镓外延片
2009-06-03
sylar
- GaP epitaxial wafer[1]
在磷化镓衬底上用液相外延或气相外延法生长的磷化镓单晶薄层材料。
是目前工业生产规模最大的化合物半导体发光二极管外延材料。
生产方式大多为冷却法，操作方法有双箱法、浸渍法、滑动舟法等，设备容量一般为20～30片欲。
采用垂直衬底架可达200片/次。
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硒化锡
2009-06-03
sylar
- tin selenide
CAS号：1315-06-6
分子式：SeSn
分子量：197.67
钢灰色晶体物质，菱形晶结构。密度6.18g/cm3。熔点861℃。真空中于650～700℃挥发，可溶于碱金属硫化物和硒化物中，易溶于硝酸和王水中。
由硒和锡直接反应或锡盐和硒化氢作用制取。
为半导体材料。
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砷化镓外延片
2009-06-03
sylar
- GaAs epitaxial wafer[1]
在特定晶向[(100)或(100)偏向最近<110>2 ～5 的晶面]砷化镓衬底上外延生长的单晶薄层材料外延工艺有LPE、VPE、MOCVD、MBE、CBE、ALE等。
工业选择取决于器件结构等因素，一般LPE、VPE多用于商品化器件，如光探测器、霍尔器件等。MBE、CBE、ALE多用于量子阱超晶格材料。MOCVD两方面兼而有之。
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碲锡铅
2009-06-03
sylar
- lead tin telluride
分子式：Pbl-xSnxTe 0≤x≤1
三元固溶半导体材料。
为碲化铅和碲化锡的连续固溶体，氯化钠型结构，为直接带隙半导体。变换x值，可使其带隙由0变到0.22eV，非掺杂晶体如富金属则呈n型，富碲则呈p型，在碲化铅衬底上采用气相外延、分子束外延等方法制取。
主要用于制作红外激光器和探测器。
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玻璃半导体
2009-06-03
sylar
- 玻璃半导体是指由无机氧化物（如二氧化硅和氧化硼）和过渡金属离子（如铁、铜、钼、钒和铬等）组成的氧化玻璃半导体和非氧化物（如硫、硒、磷、碲、硅和锗等元素中的某几种元素组成）玻璃半导体。
大致可分为三类：
(1)以IV族元素为主要成分的非晶半导体，如非晶硅，锗等；
(2)以VI族元素为主要成分的半导体，如碲-锗共熔体，硫砷，硒砷等；
(3)氧化物玻璃半导体[1]，如V2O5-P2O5，V2O5
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凹坑
2009-06-03
sylar
- intrusion
半导体在像工艺中的一种局部区域缺陷，其特征是图像从边界向内部延伸的缺损。
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复合
2009-06-02
sylar
- recombination
又称再结合。
(一)由两个增长游离基结合形成一饱和大分子而终止反应，称为再结合。
(二)半导体中电子受光作用从价带激发到导带，创造了电子-空穴对，该固体表面可能会通过“复合中心”俘获少数载流子和多数载流子，造成电子-空穴对的部分消失，从而达到稳定状态，这一过程称为复合。
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化合物半导体
2009-06-02
sylar
- compound semiconductor
通常所说的化合物半导体多指晶态无机化合物半导体，即是指由两种或两种以上元素以确定的原子配比形成的化合物，并具有确定的禁带宽度和能带结构等半导体性质。包括晶态无机化合物[1](如III-V族、II-VI族化合物半导体)及其固溶体、非晶态无机化合物(如玻璃半导体)、有机化合物(如有机半导体)和氧化物半导体等。通常所说的化合物半导体多指晶态无机化合物半导
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氧化物半导体
2009-06-02
sylar
- oxide semiconductor
具有半导体特性的一类氧化物。氧化物半导体的电学性质与环境气氛有关。导电率随氧化气氛而增加称为氧化型半导体，是p型半导体；电导率随还原气氛而增加称为还原型半导体，是n型半导体；导电类型随气氛中氧分压的大小而成p型或n型半导体称为两性半导体。非单晶氧化物可用纯金属高温下直接氧化或通过低温化学反应(如金属氯化物与水的复分解反应)来制备。氧化物单晶的制备有焰熔法
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