-
ST6378
2009-05-27
sylar
- ST6378是电视专用的8位HCMOS微处理器，它采用42脚SDIP封装，其中集成了专为电视应用而设计的外围器件，包括2个定时器、硬件看门狗、14位的电压调谐PWM输出、6个6位的PWM D／A输出、AFC A／D输入、5行15列的屏幕显示（OSD）、片内EEPROM（384字节）等，它有22个可编程输入输出（I／O）口，有5个中断源，工作电压为4．5～6 V?时钟频率是8 MHz，它的程序空间（
-
发射效率
2009-05-26
sylar
- 双极型晶体管的发射效率是指有效注入电流在总的发射极电流中所占的比例。
以NPN管为例，定义发射效率为发射极电子电流与发射极电流的比，其中发射极电流等于电子电流与空穴电流之和。表达式为：
γ0=Ine/IE=Ine/(Ine+Ipe)
-
基区输运系数
2009-05-26
sylar
- 双极型晶体管基区输运系数表征了从发射结发射的多子电流传输到集电结的效率大小。
以NPN管为例，基区输运系数为集电区电子电流与发射区电子电流之比，表达式为
β0*=Inc/Ine
-
保存解码微指令
2009-05-26
sylar
- the storage of the microdirective of decoding
是在微处理器内部设置的高速存储装置的缓存的一种,保存将程序译成处理器内部运行的编码的领域.是保存程序的instruction cache的一种,具有在Intel公司的Pentium 4中采用的NetBurst architecture的功能.
构成程序的一个个的命令，是变换(decoding)成对应处理
-
场区
2009-05-26
sylar
- 在微电子学中，场区是指一种很厚的氧化层，位于芯片上不做晶体管、电极接触的区域，可以起到隔离晶体管的作用。
有源区和场区是互补的，晶体管做在有源区处，金属和多晶硅连线多做在场区上。
CMOS工艺中的场区（即晶体管以外的区域）需要较厚的氧化层，目的是提高场开启电压，使其高于工作电压，形成良好的隔离；同时减小金属层或多晶硅与硅衬底之间的寄生电容。但仅靠增加场氧的厚度仍不能满足对场开启的要求（即满足场
-
薄膜存储器
2009-05-26
sylar
- 薄膜存储是在集成电路工艺上发展起来的新存储技术。其原理是通过改变硅基底上的薄膜的物理性质，实现数字信息的存储。
薄膜存储器目前有铁电薄膜存储器和有机薄膜存储器等。
下面以IBM公司的Millipede有机薄膜存储器作为例子对薄膜存储器的原理简要介绍。
－－－－－－－－－－－－－－－
Millipede技术是IBM提出的在聚合物表面读写数据的微机械存储器，因为存储器面积很小，读写头需要移动的
-
基区宽度调变效应
2009-05-26
sylar
- 双极晶体管基区宽度调变效应（或称基区宽变效应），即基区有效宽度随外加电压变化而变化的现象。
PN结空间空间电荷区的宽度由外加电压、杂志浓度等决定。当晶体管处于放大工作状态时，发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置，而且反偏电压VCB较高。随着反偏电压的升高，集电结空间电荷区宽度增加，使有效基区宽度减小，而当反偏电压降低，集电结空间电荷区宽度随之减小，导致有效基区宽度增加。则Ic变小。这种基区有效
-
微电路
2009-05-26
sylar
- 具有高密度等效电路元件和（或）部件，并可作为独立件的微电子器件。注：微电路可以是微型组织件或集成（微）电路。
-
无比电路
2009-05-26
sylar
- 无比电路是靠截止管提供无穷大电阻、而导通管提供一低值电阻来决定高低输出电平的。由于一只管子导通时必有另一只管子的截止, 故这种电路形式的功耗是非常低的(静态功耗近乎为零)。显然CMOS电路即工作于这种方式。?
-
半导体异质结构
2009-05-26
sylar
- 半导体异质结构是一种半导体结构，由两层以上不同的半导体材料薄膜依次沉积在同一基座上形成，这些材料具有不同的能带隙，它们可以是砷化镓之类的化合物，也可以是硅-锗之类的半导体合金。
半导体异质结构的二极管特性非常接近理想二极管。另外，通过调节半导体各材料层的厚度和能带隙，可以改变二极管电流与电压的响应参数。半导体异质结构对半导体技术具有重大影响，是高频晶体管和光电子器件的关键成分。
RSS订阅