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VHDL-AMS
2009-05-26
sylar
- 即IEEE 1076.1标准。
VHDL-AMS是VHDL的一个分支，它支持模拟、数字、数模混合电路系统的建模与仿真。
http://www.eda.org/vhdl-ams/
Verilog-AMS与之类似。支持模拟、数字、数模混合电路系统的建模与仿真。
http://www.eda.org/verilog-ams/
The VHDL-AMS language is an extens
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JK锁存器
2009-05-26
sylar
- 源于RS锁存器，
RS锁存器(Reset/Set)存在一个问题，当R和S都有效时，锁存器的输出没有定义。为了解决这一问题，人们创建了JK锁存器。当J和K都置为有效时，就将输出信号反转。下面是RS锁存器和JK锁存器的真值表。
S R Q(n+1)
0 0 不允许
1 0 1
0 1 1
1 1 Qn
J K Q(n+1)
0 0 !Qn
1 0 1
0 1 1
1 1 Qn
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多孔硅
2009-05-26
sylar
- 多孔硅（porous Si），一种具有纳米结构的材料。
可以通过晶体硅或非晶硅在氢氟酸中进行阳极氧化来获得。
多孔硅表面积与体积比很大。可以作为一种新型的可见光发光材料，对人们有很大吸引力。
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晶格缺陷
2009-05-26
sylar
- 晶格缺陷【crystal defects】
在实际的晶体中，由于晶体形成条件、原子的热运动及其它条件的影响，原子的排列不可能那样完整和规则，往往存在偏离了理想晶体结构的区域。这些与完整周期性点阵结构的偏离就是晶体中的缺陷，它破坏了晶体的对称性。
缺陷对晶体的物理性质具有极其重要的影响，可分为面缺陷、线缺陷和点缺陷三种。其中晶粒间界、堆垛层错和孪晶间界属于面缺陷，晶粒间界指多晶体中晶粒之间的交界
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密勒指数
2009-05-26
sylar
- 密勒指数(Miller indices)
以晶胞基矢定义的互质整数，用以表示晶面的方向。
1）确定某平面在直角坐标系 3个轴上的截点，并以晶格常数为单位测得相应的截距。
2）取截距的倒数，然后约简为 3 个没有公约数的整数，即将其化简成最简单的整数比。
3）将此结果以 “（hkl）”表示，即为此平面的密勒指数。
举一个例子:图中一个（623）,晶面 ACC′A′在坐标轴上的截距为 1，1
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集成度
2009-05-26
sylar
- 集成电路的集成度是指单块芯片上所容纳的元件数目。集成度越高，所容纳的元件数目越多。
集成电路的线宽通常可理解为所加工的电路图形中最小线条宽度，但在MOS电路中，人们也常栅极长度来定义线宽。集成度与线宽有对应关系，即集成度越高，线宽越小，所以，线宽也常用来表示集成电路制度技术水平的高低。
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AHDL
2009-05-26
sylar
- 1. Altera Hardware Description Language
Altera 公司的用于描述数字逻辑的硬件描述语言。类似VHDL和Verilog HDL，用于对数字逻辑电路进行建模。
2. Analog Hardware Description Language
模拟硬件描述语言。
参考书目：
Modeling with an Analog Hardware Descr
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特征尺寸
2009-05-26
sylar
- 特征尺寸即CPU表面电路的特征线宽，我们常说的130nm制程、90nm制程指的就是CPU的特征尺寸。特征尺寸越小，单位面积内的晶体管集成度就越高。
在微电子学中，特征尺寸通常指集成电路中半导体器件的最小尺寸，如MOS管的栅长，特征尺寸是衡量集成电路设计和制造水平的重要尺度，特征尺寸越小，芯片的集成度越高，速度越快，性能越好。
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聚焦离子束
2009-05-26
sylar
- 聚焦离子束(Focused Ion beam, FIB)的系统是利用电透镜将离子束聚焦成非常小尺寸的显微切割仪器，目前商用系统的离子束为液相金属离子源(Liquid Metal Ion Source,LMIS)，金属材质为镓(Gallium, Ga)，因为镓元素具有低熔点、低蒸气压、及良好的抗氧化力；典型的离子束显微镜包括液相金属离子源、电透镜、扫描电极、二次粒子侦测器、5-6轴向移动的试片基座、
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微电子机械系统
2009-05-26
sylar
- MEMS英文micro electro mechanical systems的缩写，即微电子机械系统。
MEMS是建立在微米/纳米技术（micro/nanotechnology)基础上的21世纪前沿技术，使之对微米/纳米材料进行设计、加工、制造和控制的技术。它可将机械构件、光学系统、驱动部件、电控系统、数字处理系统集成为一个整体单元的微型系统。这种微电子机械系统不但能够采集、处理与发送信息或指令
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