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聚酞菁络合物
2009-06-03
sylar
- polyphthalocyanine complex
含有酞菁结构单元的高分子络合物。
一般有如下四种类型：
(1)由酞菁络合物为重复单元互相连接而成的线型(一维)或平面型(二维)聚合物；
(2)由酞菁中心金属原子互相连接而成的柱型聚合物；
(3)由酞菁络合物作为配位体共价键合到高分子主链上的接枝型聚合物；
(4)由带电酞菁络合物和带相反电荷的高分子通过静电间的相互作用而形成的聚合物
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聚酞菁镍
2009-06-03
sylar
- poly(phthalocyanine nickel)
指高分子化的酞菁的镍络合物，酞菁结构和合成方法参见聚酞菁铜poly(phthalocyanine copper)。
酞菁镍的高分子化方法有多种，其中之一是在高温下对酞菁镍进行热处理，直接得到交联的高分子化螯合物；或者在引入可聚合基团之后，通过与其他单体共聚实现高分子化，如乙烯基吡啶、苯乙烯和苯乙烯取代的酞菁镍共聚物。
酞菁镍外观为带有
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碲化铊
2009-06-03
sylar
- 碲化铊
thallium telluride
分子式：Tl2Te
性质：黑色结晶粉末，四方晶系结构。密度8.43g/cm3，不太稳定。室温易分解。导电率随温度升高而增加。不溶于水。密闭容器中由碲和铊反应制取。为半导体材料。
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硒化铊
2009-06-03
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- 硒化铊
thallium selenide
分子式：TlSe
性质：暗紫色结晶物。有金属光泽。熔点8.2g/cm3。质软。四方晶系结构。具有光导电性。由等摩尔的铊和硒直接反应制取，为半导体材料。
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硒化汞
2009-06-03
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- mercury selenide；mercuric selenide
分子式：HgSe
性质：灰黑色正方晶体。有毒!相对密度8.266。在氮、二氧化碳气氛中或真空加热至约600℃时升华，升华物为紫黑色。导电率高，达3000Ω-1cm-1。为电子导电型物质。不溶于水，溶于硒氢酸铵溶液。由稀氯化汞溶液滴加于饱和硒化氢溶液中或由化学计量的汞和硒在封管内加热至550～600℃而得。是一种半导体材料。
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磷化镓外延片
2009-06-03
sylar
- GaP epitaxial wafer[1]
在磷化镓衬底上用液相外延或气相外延法生长的磷化镓单晶薄层材料。
是目前工业生产规模最大的化合物半导体发光二极管外延材料。
生产方式大多为冷却法，操作方法有双箱法、浸渍法、滑动舟法等，设备容量一般为20～30片欲。
采用垂直衬底架可达200片/次。
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硒化锡
2009-06-03
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- tin selenide
CAS号：1315-06-6
分子式：SeSn
分子量：197.67
钢灰色晶体物质，菱形晶结构。密度6.18g/cm3。熔点861℃。真空中于650～700℃挥发，可溶于碱金属硫化物和硒化物中，易溶于硝酸和王水中。
由硒和锡直接反应或锡盐和硒化氢作用制取。
为半导体材料。
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外延气体
2009-06-03
sylar
- epitaxial gases
气体工业名词，半导体工业中在仔细选择的衬底上采用化学气相淀积(CVD)的方法生长一层或多层材料所用气体称为外延气体。硅外延气体有4种，即硅烷，二氯二氢硅，三氯氢硅和四氯化硅，主要用于外延硅淀积，多晶硅淀积，淀积氧化硅膜，淀积氮化硅膜，太阳能电池和其他光感受器的非晶硅膜淀积。外延生长是一种单晶材料淀积并生长在衬底表面上的过程。此外延层的电阻率往往与衬底不同。[1]
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量子原子团
2009-06-03
sylar
- 也叫量子点、Quantum Dot。它是一个半导体纳米结构小体积点，在三个空间方向上束缚住了导带电子、价带空穴及激子。它的直径通常只有2到50个纳米（相当于10到250个原子的直径）。它由Louis E. Brus在贝尔实验室中发现的。现在，许多科学家致力于它在晶体管、二极管激光器、太阳能电池等方面的研究。
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固液交界面
2009-06-03
sylar
- 固液交界面又叫晶体生长带或结晶前沿。固液交界面代表了晶体生长时的等温面。通过对晶体等温面条纹的分析可以了解热场分布情况﹐尤其对径向温度分布情况的了解又更重要的意义。再者﹐固液交集面的形状直接关系到晶体中的位错密度的大小及断面上电阻率的均匀性﹐显示出固液交界面的行装﹐对提高单晶的质量又很重要的意义。
显示固液交界面的方法与基本原理
1.晶体与熔体快速分离法
当晶体生长到某一时刻﹐突然将晶体快
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