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碲单晶
2009-06-03
sylar
- tellurium single crystal
碲为周期表第VI族元素半导体。
每三个原子由共价键结合成螺旋链。六角晶系，晶格常数0.446nm。熔点450℃。为直接带隙半导体。室温带宽度0.32eV。一般为p型材料，电子和空穴迁移率分别为9×10-2和5.7×10-2m2/(V·s)。
采用区域熔炼法制备。
为制作光电器件和热电器件的好材料。
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砷化镓外延片
2009-06-03
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- GaAs epitaxial wafer[1]
在特定晶向[(100)或(100)偏向最近<110>2 ～5 的晶面]砷化镓衬底上外延生长的单晶薄层材料外延工艺有LPE、VPE、MOCVD、MBE、CBE、ALE等。
工业选择取决于器件结构等因素，一般LPE、VPE多用于商品化器件，如光探测器、霍尔器件等。MBE、CBE、ALE多用于量子阱超晶格材料。MOCVD两方面兼而有之。
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碲锡铅
2009-06-03
sylar
- lead tin telluride
分子式：Pbl-xSnxTe 0≤x≤1
三元固溶半导体材料。
为碲化铅和碲化锡的连续固溶体，氯化钠型结构，为直接带隙半导体。变换x值，可使其带隙由0变到0.22eV，非掺杂晶体如富金属则呈n型，富碲则呈p型，在碲化铅衬底上采用气相外延、分子束外延等方法制取。
主要用于制作红外激光器和探测器。
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陶瓷半导体材料
2009-06-03
sylar
- 在陶瓷中，半导体是很多的。电阻随温度而变化的性质，可用于非线性电阻。负温度系数非线性电阻（NTC非线性电阻）随温度上升而电阻降低，具有一般的半导体特性。铁系金属的氧化物陶瓷，因为具有化学的和热的稳定性，所以可用于非线性电阻，在很宽的范围控制温度。与此相反，称为正温度系数热敏电阻（PTC热敏电阻）的元件，用的是半导体化的BaTiO3陶瓷。这种陶瓷因为在相变温度下电阻急剧增大，如果作为电阻加热元件而应
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玻璃半导体
2009-06-03
sylar
- 玻璃半导体是指由无机氧化物（如二氧化硅和氧化硼）和过渡金属离子（如铁、铜、钼、钒和铬等）组成的氧化玻璃半导体和非氧化物（如硫、硒、磷、碲、硅和锗等元素中的某几种元素组成）玻璃半导体。
大致可分为三类：
(1)以IV族元素为主要成分的非晶半导体，如非晶硅，锗等；
(2)以VI族元素为主要成分的半导体，如碲-锗共熔体，硫砷，硒砷等；
(3)氧化物玻璃半导体[1]，如V2O5-P2O5，V2O5
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微晶半导体
2009-06-03
sylar
- microcrystalline semiconductor[1]
具有半导体性质的微晶相和无定形相的复相结构薄膜组成的半导体材料。
材料的平均大小在数纳米至数十纳米之间。
微晶半导体中有一类特别的材料叫微晶硅(μc-Si)。
通常用气相沉积法、磁控溅射法、非晶硅热处理法制备，在太阳能电池、传感器和集成电路等领域内应用。
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半导体电极
2009-06-03
sylar
- semiconductor electrode
将半导体作为电极材料时，半导体及与它紧密接触的电解质构成半导体电极。[1]
它与金属电极材料的主要差别为：(1)有电子和空穴，都能导电，两者的浓度可以通过掺杂改变，但载流子的浓度比金属低好几个数量级，故表面将形成空间电荷层；(2)因表面缺陷、吸附、氧化物生成等原因形成“表面态”能级，影响电极性能；(3)合适的光照将产生光电流。
这些特点形成了半
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光子隧道效应
2009-06-03
sylar
- 当界面两边物质的折射率满足一定条件时，一束内全反射光会导致界面的另一侧产生一个瞬衰场。其强度随离界面的距离成指数关系。将一光学探针调节到样品表面的瞬衰场内，入射光的一些光子会穿过界面和光学探针之间的势垒，即产生光子隧道效应。
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凹坑
2009-06-03
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- intrusion
半导体在像工艺中的一种局部区域缺陷，其特征是图像从边界向内部延伸的缺损。
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元素半导体
2009-06-03
sylar
- element semiconductor[1]
具有半导体特性的元素，如硅、锗、硼、硒、碲、碳、碘等组成的材料。
其导电能力介乎导体和绝缘体之间。
一般电阻率在10-7～10-3之间。
主要采用直拉法、区熔法或外延法制备。
工业上应用最多的是硅、锗、硒。
用于制作各种晶体管、整流器、集成电路、太阳能电池等方面。
其他硼、碳(金刚石、石墨)、碲、碘及红磷、灰砷、灰锑、灰铅、硫也是半导
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