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永磁铁
2009-06-01
sylar
- 概述
永磁铁penusiteltt luagtebc materid
具有宽磁滞回线、高矫顽力、高剩磁，一经磁化即能保持恒定磁性的材科。又称永磁材料、硬磁材科。应用中，永磁体工作于深度磁饱和和充磁后磁瑞回线的第二象限退磁部分。永磁体应具有尽可能高的矫顽力Hc、剩磁Br与最大磁能积（BH）m，以保证储存最大的磁能及稳定的磁性。
分类
永磁铁按其成分可分为铁基、钴基、锰基和铁氧基四大类。
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光电三极管
2009-06-01
sylar
- 光电三极管也是一种晶体管，它有三个电极。当光照强弱变化时，电极之
间的电阻会随之变化。
光电三极管工作原理
光电三极管是在光电二极管的基础上发展起来的光电器件，它本身具有放大功能。常见的光电三极管外形如图l所示，文字符号表示为VT或V。
目前的光电三极管是采用硅材料制作而成的。这是由于硅元件较锗元件有小得多的暗电流和较小的温度系数。硅光电三极管是用N型硅单晶做成N—P—N结构的。管芯基
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软磁铁氧体材料
2009-06-01
sylar
- 目录·软磁铁氧体材料·特性要求·磁特性参数·磁导率·综上所述·软磁铁氧体的损耗·软磁铁氧体材料Top
·特性要求Top
一.概述:
1.要求： 四高----µi、Q、fr、稳定性(?M、DF);
2.特点：容易获得磁性也容易失去,主要用于高f弱场
二.分类
1.按晶体结构:尖晶石型;平面六角晶系;
2.按材料应用性能分：
1>.高磁导率材料(
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HEXFET MOSFET
2009-05-27
sylar
- IR公司将其某类MOSFET称作 HEXFET MOSFET。HEXFET 是什么意思呢？
图所示为IR功率MOSFET的基本结构。图中每一个六角形是一个MOSFET的原胞（cell）。正因为原胞是六角形的（hexangular）,因而IR常把它称为HEXFET。功率MOSFET通常由许多个MOSFET原胞组成。
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SOI材料
2009-05-27
sylar
- SOI材料是新型硅基集成电路材料的简称。这类材料是为了适应航空航天电子、导弹等武器系统的控制和卫星电子系统的需求而发展起来的。SOI材料具有以下突出优点：1、低功耗；2、低开启电压；3、高速；4、提高集成度；5、与现有集成电路完全兼容且减少工艺程序；6、耐高温；7、抗辐照从而减少软件误差。这些优点使得SOI技术在绝大多数硅基集成电路方面具有极其广泛的应用背景，从而受到世界各大集成电路制造商和各国政
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半导体异质结构
2009-05-26
sylar
- 半导体异质结构是一种半导体结构，由两层以上不同的半导体材料薄膜依次沉积在同一基座上形成，这些材料具有不同的能带隙，它们可以是砷化镓之类的化合物，也可以是硅-锗之类的半导体合金。
半导体异质结构的二极管特性非常接近理想二极管。另外，通过调节半导体各材料层的厚度和能带隙，可以改变二极管电流与电压的响应参数。半导体异质结构对半导体技术具有重大影响，是高频晶体管和光电子器件的关键成分。
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多孔硅
2009-05-26
sylar
- 多孔硅（porous Si），一种具有纳米结构的材料。
可以通过晶体硅或非晶硅在氢氟酸中进行阳极氧化来获得。
多孔硅表面积与体积比很大。可以作为一种新型的可见光发光材料，对人们有很大吸引力。
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晶格缺陷
2009-05-26
sylar
- 晶格缺陷【crystal defects】
在实际的晶体中，由于晶体形成条件、原子的热运动及其它条件的影响，原子的排列不可能那样完整和规则，往往存在偏离了理想晶体结构的区域。这些与完整周期性点阵结构的偏离就是晶体中的缺陷，它破坏了晶体的对称性。
缺陷对晶体的物理性质具有极其重要的影响，可分为面缺陷、线缺陷和点缺陷三种。其中晶粒间界、堆垛层错和孪晶间界属于面缺陷，晶粒间界指多晶体中晶粒之间的交界
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溅射
2009-05-26
sylar
- 溅射(sputtering)是PVD薄膜制备技术的一种，主要分为四大类：直流溅射、交流溅射、反应溅射和磁控溅射。
原理如下图：
原理：用带电粒子轰击靶材，加速的离子轰击固体表面时，发生表面原子碰撞并发生能量和动量的转移，使靶材原子从表面逸出并淀积在衬底材料上的过程。以荷能粒子(常用气体正离子)轰击某种材料的靶面，而使靶材表面的原子或分子从中逸出的现象。
用途：利用它可使他种基体材料表面获得金
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有机芯片
2009-05-26
sylar
- 一种芯片载体Top一种引线连接式芯片的芯片载体，采用有机介电材料而不是常规陶瓷材料，还至少采用一个有机的可光学成像的介电层，带有镀层光学通路以使扇出电路的多层电互连，并且还采用单层坑来容纳芯片而不用常规多层坑。而且还含有直接位于芯片下方的热通路孔和金属层以增强热耗散。
一种芯片载体，它包含： 一个芯片载体衬底，它包括一个第一表面、一个与上述第一表面相对立的第二表面、以及至少第一和第二有机材料层，
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